国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018168706) III族窒化物半導体基板

Pub. No.:    WO/2018/168706    International Application No.:    PCT/JP2018/009296
Publication Date: Fri Sep 21 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 10 00:59:59 CET 2018
IPC: C30B 29/38
C23C 16/34
C30B 25/02
Applicants: FURUKAWA CO., LTD.
古河機械金属株式会社
Inventors: GOTO Hiroki
後藤 裕輝
ISHIHARA Yujiro
石原 裕次郎
Title: III族窒化物半導体基板
Abstract:
本発明によれば、III族窒化物半導体結晶で構成され、表裏の関係にある露出した第1及び第2の主面はいずれも半極性面であり、室温下において、波長が325nmであり、出力が10mW以上40mW以下であるヘリウム-カドミウム(He-Cd)レーザーを照射し、面積1mm2単位でマッピングを行ったPL(photoluminescence)測定における発光波長の標準偏差を発光波長の平均値で割ることで算出される第1及び第2の主面各々の発光波長の変動係数はいずれも0.05%以下であるIII族窒化物半導体基板(自立基板(30))が提供される。当該自立基板(30)上にデバイスを作製すると、デバイス間の品質のばらつきが抑制される。