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1. (WO2018168676) 光架橋性重合体、絶縁膜、平坦化膜、親撥パターニング膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス

Pub. No.:    WO/2018/168676    International Application No.:    PCT/JP2018/009167
Publication Date: Fri Sep 21 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 10 00:59:59 CET 2018
IPC: C08F 8/10
H01B 3/30
H01L 29/786
Applicants: TOSOH CORPORATION
東ソー株式会社
Inventors: YAMAKAWA Hiroshi
山川浩
OKU Shinya
奥慎也
YUMINO Shohei
弓野翔平
LEE Junghwi
李廷輝
KATAGIRI Fumiaki
片桐史章
Title: 光架橋性重合体、絶縁膜、平坦化膜、親撥パターニング膜及びこれを含む有機電界効果トランジスタデバイス
Abstract:
汎用溶剤への溶解性、架橋温度、架橋に要する時間、耐溶剤性(耐クラック性)、絶縁破壊強度、漏洩電流、溶剤に対する濡れ性、薄膜とした場合の平坦性の点で優れた性能を有する樹脂を提供する。 式(1)及び式(2)で表される反復単位を含む樹脂であって、式(1)及び式(2)の反復単位の総数に対して式(2)の反復単位を20モル%以上含む樹脂。 (式(1)中、R1は水素またはC1~C6のアルキル基を、S1は-O-又は-C(O)-を、pは0又は1を、A1はC6~C19のアリール基を、Yはハロゲン、シアノ基、カルボキシアルキル基、アルキルエーテル基、アリールエーテル基、C1~C18のアルキル基、フルオロアルキル基、またはシクロアルキル基を表す。また、kは0~(s-1)の整数を表す。ここで、sは芳香族基A1を構成する炭素数を表す。) {(式(2)中、R2は水素またはC1~C6のアルキル基を、S2は-O-又は-C(O)-を、qは0又は1を、A2はC6~C19のアリール基を、Yは式(1)で定義した置換基を、jは0~(r-2)の整数を、mは1~(r-j-1)の整数を表す。ここで、rは芳香族基A2を構成する炭素数を表す。また、Zは式(A)~(D)から選ばれる少なくとも1つの有機基を表す。) (式(A)~(D)中、R3及びR4はそれぞれ独立して水素、C1~C6のアルキル基、アリール基、またはカルボキシアルキル基を示し、R5~R29はそれぞれ独立して水素、ハロゲン、シアノ基、カルボキシアルキル基、アルキルエーテル基、アリールエーテル基、C1~C18のアルキル基、フルオロアルキル基、またはシクロアルキル基を表す。)}