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1. (WO2018168430) 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム

Pub. No.:    WO/2018/168430    International Application No.:    PCT/JP2018/007105
Publication Date: Fri Sep 21 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Feb 28 00:59:59 CET 2018
IPC: H01S 5/22
H01S 5/20
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.
パナソニックIPマネジメント株式会社
Inventors: IKEDO Norio
池戸 教夫
NAKATANI Tougo
中谷 東吾
OKAGUCHI Takahiro
岡口 貴大
YOKOYAMA Takeshi
横山 毅
YABUSHITA Tomohito
藪下 智仁
TAKAYAMA Toru
高山 徹
Title: 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム
Abstract:
基板(101)の主面の上方に、第1導電側半導体層(100)、活性層(300)及び第2導電側半導体層(200)が順次積層された積層構造体を備え、マルチモードでレーザ発振する半導体レーザ装置(1)であって、第2導電側半導体層(200)は、電流注入領域を画定するための開口部(241)を有する電流ブロック層(240)を有し、積層構造体における第1導電側半導体層(100)の一部から第2導電側半導体層(200)までの部分には一対の側面(105)が形成され、活性層(300)は、開口部(241)の第1の幅より広い第2の幅を有し、第1導電側半導体層(100)の少なくとも一部における一対の側面(105)は、基板(101)の主面に対して傾斜しており、積層構造体を導波する光について、基板(101)の主面の法線方向における光分布の最大強度位置は、第1導電側半導体層(100)内にある。