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1. (WO2018168384) 半導体装置の製造方法および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/168384 国際出願番号: PCT/JP2018/006524
国際公開日: 20.09.2018 国際出願日: 22.02.2018
IPC:
H01L 23/12 (2006.01) ,H05K 3/00 (2006.01) ,H05K 3/28 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
22
印刷回路の2次的処理
28
非金属質の保護被覆を施すこと
出願人: AOI ELECTRONICS CO., LTD.[JP/JP]; 455-1, Kohzai-Minamimachi, Takamatsu-shi, Kagawa 7618014, JP
発明者: WAKISAKA, Shinji; JP
代理人: NAGAI, Fuyuki; JP
IKEDA, Keiichi; JP
優先権情報:
2017-04975815.03.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
要約:
(EN) This method for manufacturing a semiconductor device includes: forming an insulating layer on a conductive supporting substrate; forming a wiring layer on the insulating layer, said wiring layer being connected to the supporting substrate; disposing a semiconductor element on the wiring layer, and electrically connecting a connection terminal of the semiconductor element to the wiring layer; sealing a package substrate and the semiconductor element using a sealing resin, said package substrate being provided with the supporting substrate and the wiring layer; and removing, on the basis of a conductive pattern including an external connection terminal, the supporting substrate of the sealed package substrate by leaving a part of the supporting substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur consistant à : former une couche d'isolation sur un substrat de support conducteur; former une couche de câblage sur la couche d'isolation, ladite couche de câblage étant connectée au substrat de support; disposer un élément semiconducteur sur la couche de câblage, et connecter électriquement une borne de connexion de l'élément semiconducteur à la couche de câblage; étanchéifier un substrat de boîtier et l'élément semiconducteur à l'aide d'une résine d'étanchéité, ledit substrat de boîtier comprenant le substrat de support et la couche de câblage; et retirer, sur la base d'un motif conducteur comprenant une borne de connexion externe, le substrat de support du substrat de boîtier étanchéifié en laissant une partie du substrat de support.
(JA) 半導体装置の製造方法は、導電性の支持基板の上に絶縁層を形成することと、絶縁層の上に支持基板と接続されている配線層を形成することと、配線層の上に、半導体素子を配置して、半導体素子の接続端子を配線層に電気的に接続することと、支持基板および配線層を備えるパッケージ基板と半導体素子とを封止樹脂を用いて封止することと、封止されたパッケージ基板の支持基板を、外部接続端子を含む導電パターンに基づき一部を残して除去することと、を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)