WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
オプション
検索言語
語幹処理適用
並び替え:
表示件数
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018168316) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/168316 国際出願番号: PCT/JP2018/005406
国際公開日: 20.09.2018 国際出願日: 16.02.2018
IPC:
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者: OKA Takafumi; JP
NISHIGUCHI Kohei; JP
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; JP
ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
2017-04743413.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Provided is a semiconductor device which is capable of suppressing wet spreading of a solder, while having improved connection strength of a solder bump. According to the present invention, an under-bump metal 102 covers the inner surface and the upper edge of a first opening 104a, while being connected to a wiring electrode 107 that is exposed from the first opening 104a. A passivation film 103 has a second opening 103a from which a part of the under-bump metal 102 is exposed, and is formed on a second resin interlayer film 104 so as to cover at least a part of an outer edge 202 of the under-bump metal 102, said outer edge being positioned on the second resin interlayer film 104. A solder bump 101 is connected to the under-bump metal 102 that is exposed from the second opening 103a.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semiconducteur qui est capable de supprimer l'étalement humide d'une soudure, tout en ayant une force de connexion améliorée d'une bosse de soudure. Selon la présente invention, un métal sous-bosse 102 recouvre la surface interne et le bord supérieur d'une première ouverture 104a, tout en étant connecté à une électrode de câblage 107 qui est exposée à partir de la première ouverture 104a. Un film de passivation 103 a une seconde ouverture 103a à partir de laquelle une partie du métal sous-bosse 102 est exposée, et est formée sur un second film intercouche de résine 104 de manière à recouvrir au moins une partie d'un bord externe 202 du métal sous bosse 102, ledit bord externe étant positionné sur le second film intercouche de résine 104. Une bosse de soudure 101 est reliée au métal sous-bosse 102 qui est exposé à partir de la seconde ouverture 103a.
(JA) はんだバンプの接続強度を改善しつつ、はんだの濡れ拡がりを抑制することができる半導体装置を提供する。アンダーバンプメタル102は、第1開口部104aの内面および上縁を覆い、第1開口部104aから露出する配線電極107に接続される。パシベーション膜103は、アンダーバンプメタル102の一部が露出する第2開口部103aを有し、第2樹脂層間膜104上に位置するアンダーバンプメタル102の外縁202の少なくとも一部を覆い、第2樹脂層間膜104上に形成される。はんだバンプ101は、第2開口部103aから露出するアンダーバンプメタル102に接続される。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)