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1. (WO2018168069) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/168069 国際出願番号: PCT/JP2017/040767
国際公開日: 20.09.2018 国際出願日: 13.11.2017
IPC:
H01L 29/872 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
872
ショットキーダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
328
バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程
329
装置が1つまたは2つの電極からなるもの,例.ダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
43
構成材料に特徴のあるもの
47
ショットキー障壁電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
868
PINダイオード
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者: KITAI, Hidenori; JP
SHIOMI, Hiromu; JP
FUKUDA, Kenji; JP
代理人: ITOH, Tadashige; JP
ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
2017-05031915.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) This semiconductor device has a first JTE region formed around an active section, a second JTE region formed around the first JTE region, and a third JTE region formed around the second JTE region. The first JTE region, second JTE region, and third JTE region are doped with an impurity element of a second conductivity type that is different from a first conductivity type, and concentration ratio R21, i.e., (impurity element concentration of the second JTE region)/(impurity element concentration of the first JTE region), and concentration ratio R32, i.e., (impurity element concentration of the third JTE region)/(impurity element concentration of the second JTE region) are 0.50-0.65, and width W1 of the first JTE region, width W2 of the second JTE region, and width W3 of the third JTE region are 130-190 μm.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semiconducteur comportant une première région JTE formée autour d'une section active, une seconde région JTE formée autour de la première région JTE, et une troisième région JTE formée autour de la seconde région JTE. La première région JTE, la seconde région JTE et la troisième région JTE sont dopées avec un élément d'impureté d'un second type de conductivité qui est différent d'un premier type de conductivité, et le rapport de concentration R21, c'est-à-dire, (concentration d'élément d'impureté de la seconde région JTE)/ (concentration d'élément d'impureté de la première région JTE), et le rapport de concentration R32, c'est-à-dire, (concentration d'élément d'impureté de la troisième région JTE)/ (concentration d'élément d'impureté de la seconde région JTE) sont de 0,50 à 0,65, et la largeur W1 de la première région JTE, la largeur W2 de la seconde région JTE et la largeur W3 de la troisième région JTE sont de 130 à 190 µm.
(JA) 半導体装置は、活性部の周囲に形成された第1のJTE領域と、第1のJTE領域の周囲に形成された第2のJTE領域と、第2のJTE領域の周囲に形成された第3のJTE領域を有し、第1のJTE領域、第2のJTE領域、第3のJTE領域には、第1の導電型とは異なる第2の導電型の不純物元素がドープされており、(第2のJTE領域の不純物元素の濃度)/(第1のJTE領域の不純物元素の濃度)となる濃度比R21、及び、(第3のJTE領域の不純物元素の濃度)/(第2のJTE領域の不純物元素の濃度)となる濃度比R32は、0.50以上、0/65以下であって、第1のJTE領域の幅W1、第2のJTE領域の幅W2及び第3のJTE領域の幅W3は、130μm以上、190μm以下である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)