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1. (WO2018167925) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/167925    International Application No.:    PCT/JP2017/010743
Publication Date: Fri Sep 21 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 17 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: FUJITA, Jun
藤田 淳
KAGUCHI, Naoto
鹿口 直斗
WADA, Fumio
和田 文雄
Title: 半導体装置
Abstract:
信頼性の高い半導体装置が得られる。半導体装置(11)は、半導体基板と、第1ゲート配線(22)および第2ゲート配線(22)と、第1金属部(20a)と、絶縁部材(40)と、第2金属部(20b)とを備える。第1ゲート配線(22)および第2ゲート配線(22)は、半導体基板の主面上に、互いに間隔を隔てて配置される。第1金属部(20a)は、第1ゲート配線(22)および第2ゲート配線(22)の上に形成される。第1金属部(20a)は、第1ゲート配線(22)と第2ゲート配線(22)との間の領域において半導体基板(18)側と反対側に位置する上面を有する。上面には凹部(28)が形成される。絶縁部材(40)は、凹部(28)の少なくとも一部を埋め込む。第2金属部(20b)は、絶縁部材(40)の上部表面上から第1金属部(20a)の上面上にまで延在する。