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1. (WO2018167588) 半導体装置、および半導体装置の作製方法

Pub. No.:    WO/2018/167588    International Application No.:    PCT/IB2018/051203
Publication Date: Fri Sep 21 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Feb 28 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/8242
H01L 21/336
H01L 27/10
H01L 27/108
H01L 29/786
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei
山崎舜平
TAKEUCHI, Toshihiko
竹内敏彦
YAMADE, Naoto
山出直人
FUJIKI, Hiroshi
藤木寛士
HATA, Yuki
畑勇気
NAGATSUKA, Shuhei
長塚修平
Title: 半導体装置、および半導体装置の作製方法
Abstract:
要約書 微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供する。 チャネル形成領域に酸化物を有する半導体装置であって、 半導体装置は、 第1のトランジスタ、 第2 のトランジスタ、第1の配線、第2の配線、及び第3の配線を有し、第1のトランジスタは、第1の 絶縁体上の酸化物と、 酸化物上の第2の絶縁体と、 第2の絶縁体上の第1の導電体と、 第1の導電体 上の第3の絶縁体と、第2の絶縁体、第1の導電体、及び第3の絶縁体に接する、第4の絶縁体と、 を有する。また、第2のトランジスタは、第5の絶縁体上の酸化物と、酸化物上の第6の絶縁体と、 第6の絶縁体上の第2の導電体と、第2の導電体上の第7の絶縁体と、第6の絶縁体、第2の導電体、 及び第7の絶縁体に接する、第8の絶縁体と、を有する。