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1. (WO2018166024) METHOD FOR MANUFACTURING TFT AND METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE
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国際公開番号: WO/2018/166024 国際出願番号: PCT/CN2017/080406
国際公開日: 20.09.2018 国際出願日: 13.04.2017
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
12
基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体
出願人:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No. 9-2, Tangming Rd, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
発明者:
蔡小龙 CAI, Xiaolong; CN
代理人:
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; 中国广东省深圳市 南山区高新区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼A806 Room A806 Zhongdi Building, China University of Geosciences Base, No. 8 Yuexing 3rd Road, High-Tech Industrial Estate, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057, CN
優先権情報:
201710153568.015.03.2017CN
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING TFT AND METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
(ZH) TFT的制造方法及阵列基板的制造方法
要約:
(EN) A method for manufacturing a TFT and a method for manufacturing an array substrate. The method comprises: forming, on a base substrate (20), transfer layers (212) that are provided alternately at intervals; forming, on the transfer layers, a metal layer (22) covering the base substrate; and carrying out a DIW demoulding process on the transfer layers, so as to strip the transfer layers and the metal layer above same from the base substrate, and keeping the metal layer, not provided above the transfer layers, on the base substrate, so as to form a metal electrode (23) of the TFT.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un transistor à couches minces et un procédé de fabrication d’un substrat de matrice. Le procédé consiste à : former, sur un substrat de base (20), des couches de transfert (212) qui sont disposées en alternance à intervalles ; former, sur les couches de transfert, d'une couche métallique (22) recouvrant le substrat de base ; et réaliser un processus de démoulage DIW sur les couches de transfert, de manière à dénuder les couches de transfert et la couche métallique au-dessus de celles-ci à partir du substrat de base, et conserver la couche métallique, non disposée au-dessus des couches de transfert, sur le substrat de base, de manière à former une électrode métallique (23) du transistor à couches minces.
(ZH) 一种TFT的制造方法及阵列基板的制造方法。在衬底基材(20)上形成交错间隔设置的中转层(212);在中转层上形成覆盖衬底基材的金属层(22);对中转层进行DIW脱膜制程,以将中转层及其上方的金属层从衬底基材上剥离,而未设置在中转层上方的金属层保留在衬底基材上而形成TFT的金属电极(23)。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)