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1. (WO2018164267) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/164267 国際出願番号: PCT/JP2018/009257
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 09.03.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,C08G 8/20 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
8
アルデヒドまたはケトンのフェノールのみとの重縮合体
04
アルデヒドの
08
ホルムアルデヒドの,例.その場で形成されたホルムアルデヒドの
20
多価フェノールとの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
野坂 直矢 NOSAKA Naoya; JP
若松 剛史 WAKAMATSU Goji; JP
阿部 翼 ABE Tsubasa; JP
三浦 一裕 MIURA Ichihiro; JP
江原 健悟 EHARA Kengo; JP
中津 大貴 NAKATSU Hiroki; JP
中川 大樹 NAKAGAWA Hiroki; JP
代理人:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報:
2017-04609210.03.2017JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING PATTERNED SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE PELLICULE DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, PELLICULE DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT À MOTIFS
(JA) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a composition for forming a resist underlayer film, which is capable of forming a resist underlayer film that has excellent flatness, while exhibiting excellent solvent resistance, heat resistance and etching resistance. The present invention is a composition for forming a resist underlayer film, which contains a compound that has a partial structure represented by formula (1) and a solvent. In formula (1), X represents a group represented by formula (i), (ii), (iii) or (iv). In formula (i), each of R1 and R2 independently represents a hydrogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted aralkyl group having 7-20 carbon atoms, or R1 and R2 are combined with each other to form a part of a ring structure having 3-20 ring members, said ring structure being formed together with carbon atoms to which the R1 and R2 moieties are bonded, excluding the cases where the R1 and R2 moieties are hydrogen atoms, hydroxy groups or a combination of a hydrogen atom and a hydroxy group.
(FR) L’objet de la présente invention est de fournir une composition de formation d’une pellicule de sous-couche de résine photosensible, laquelle est susceptible de former une pellicule de sous-couche de résine photosensible dont la planarité est excellente et dont la résistance aux solvants, la résistance à la chaleur et la résistance à la gravure sont excellentes. La présente invention concerne une composition pour former un film de sous-couche de résine photosensible, qui contient un composé qui a une structure partielle représentée par la formule (1) et un solvant. Dans la formule (1), X représente un groupe représenté par la formule (i), (ii), (iii) ou (iv). Dans la formule (i), chacun de R1 et R2 représente indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe hydroxy, un groupe hydrocarboné aliphatique monovalent substitué ou non substitué ayant de 1 à 20 atomes de carbone ou un groupe aralkyle substitué ou non substitué ayant de 7 à 20 atomes de carbone, ou R1 et R2 sont combinés l'un à l'autre pour former une partie d'une structure cyclique ayant 3 à 20 éléments de cycle, ladite structure cyclique étant formée conjointement avec des atomes de carbone auxquels sont liées les fractions R1 et R2, à l'exclusion des cas où les fractions R1 et R2 représentent des atomes d'hydrogène, des groupes hydroxy ou une combinaison d'un atome d'hydrogène et d'un groupe hydroxy.
(JA) 平坦性に優れると共に溶媒耐性、耐熱性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される部分構造を有する化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Xは、下記式(i)、(ii)、(iii)又は(iv)で表される基である。下記式(i)中、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、置換若しくは非置換の炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは非置換の炭素数7~20のアラルキル基であるか、又はRとRとが互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3~20の環構造の一部を表す。但し、R及びRが、水素原子、ヒドロキシ基又はこれらの組み合わせである場合を除く。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)