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1. (WO2018164210) 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
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国際公開番号: WO/2018/164210 国際出願番号: PCT/JP2018/008913
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 08.03.2018
IPC:
H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01) ,H03H 9/72 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02
細部
125
駆動手段,例.電極,コイル
145
弾性表面波を用いる回路網のためのもの
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
46
濾波器
64
弾性表面波を用いるもの
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
70
相異った周波数または周波数帯域で動作する若干の電源または負荷を共通の負荷または電源に接続するための多端子回路網
72
弾性表面波を用いる回路網
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
中川 亮 NAKAGAWA, Ryo; JP
岩本 英樹 IWAMOTO, Hideki; JP
▲高▼井 努 TAKAI, Tsutomu; JP
代理人:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
優先権情報:
2017-04468909.03.2017JP
発明の名称: (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE, MULTIPLEXER, HIGH-FREQUENCY FRONT END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, MULTIPLEXEUR, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
要約:
(EN) An acoustic wave device is provided which is not prone to generate ripples in other acoustic wave filters due to higher-order modes. A silicon oxide film 3, a piezoelectric body 4 formed from lithium tantalate, and an IDT electrode 5 are stacked on a support substrate 2 made from silicon. The values of the wavelength normalized film thickness TLT of the piezoelectric body formed from lithium tantalate, the Euler angle θLT, the wavelength normalized film thickness TS of the silicon oxide film 3, the wavelength normalized film thickness TE of the IDT electrode 5 converted to the thickness of aluminum, the propagation orientation ψSi of the support substrate 2, and the wavelength normalized film thickness TSi of the support substrate 2 are such that TSi > 20, and TLT, θLT, TS, TE, and ψSi are set so that Ih, which corresponds to the intensity of a higher-order mode response represented by expression (1), is greater than or equal to -2.4 for at least one response of the responses of a first, second and third higher-order mode.
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques qui n'est pas susceptible de générer des ondulations dans d'autres filtres à ondes acoustiques en raison de modes d'ordre supérieur. Un film d'oxyde de silicium 3, un corps piézoélectrique 4 formé à partir de tantalate de lithium et une électrode IDT 5 sont empilés sur un substrat de support 2 en silicium. Les valeurs de l'épaisseur TLT de film normalisé en longueur d'onde du corps piézoélectrique formé à partir de tantalate de lithium, de l'angle d'Euler θLT, de l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde TS du film d'oxyde de silicium 3, de l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde TE de l'électrode IDT 5 convertie en épaisseur d'aluminium, de l'orientation de propagation ψSi du substrat de support 2, et de l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde TSi du substrat de support 2 sont telles que TSi > 20, et TLT, θLT, TS, TE et ψSi sont définis de telle sorte qu'Ih, qui correspond à l'intensité d'une réponse de mode d'ordre supérieur représentée par l'expression (1), soit supérieure ou égale à -2,4 pour au moins une réponse des réponses d'un premier, d'un deuxième et d'un troisième mode d'ordre supérieur.
(JA) 他の弾性波フィルタにおいて高次モードによるリップルを生じさせ難い、弾性波装置を提供する。 シリコンで構成される支持基板2上に、酸化ケイ素膜3及びタンタル酸リチウムからなる圧電体4及びIDT電極5が積層されており、タンタル酸リチウムからなる圧電体の波長規格化膜厚TLT、オイラー角のθLT、酸化ケイ素膜3の波長規格化膜厚T、アルミニウムの厚みに換算したIDT電極5の波長規格化膜厚T、支持基板2の伝搬方位ψSi、支持基板2の波長規格化膜厚TSiの値が、第1、第2及び第3の高次モードの応答の内の少なくとも1つの応答について下記の式(1)で表される高次モードの応答の強度に対応するIが-2.4より大きくなるようにTLT、θLT、T、T、ψSiが設定されており、TSi>20である、弾性波装置1。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)