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1. (WO2018163975) エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/163975 国際出願番号: PCT/JP2018/007889
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 01.03.2018
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/24 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
24
けい素のみの析出
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
発明者:
胡盛 珀 KOMORI Haku; JP
代理人:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
優先権情報:
2017-04320207.03.2017JP
発明の名称: (EN) EPITAXIAL GROWTH DEVICE AND PREHEAT RING, AND EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD USING SAME
(FR) DISPOSITIF DE CROISSANCE ÉPITAXIALE ET ANNEAU DE PRÉCHAUFFAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTE ÉPITAXIALE UTILISANT CELUI-CI
(JA) エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
要約:
(EN) Provided is an epitaxial growth device with which the thickness uniformity of an epitaxial film can be improved. An epitaxial growth device of the present invention comprises a susceptor 20, and a preheat ring 60 covering the side surface of the susceptor 20 via a gap. A gap width wider than a gap width W1 between the susceptor 20 and the preheat ring 60 on a reaction gas supply opening side is provided in at least a part of the space between the susceptor 20 and the preheat ring 60.
(FR) L'invention concerne un dispositif de croissance épitaxiale permettant d'améliorer l'uniformité d'épaisseur d'un film épitaxial. Un dispositif de croissance épitaxiale selon la présente invention comprend un suscepteur (20) et un anneau de préchauffage (60) recouvrant la surface latérale du suscepteur (20) par le biais d'un espace. Une largeur d'espace plus grande qu'une largeur d'espace W1 entre le suscepteur (20) et l'anneau de préchauffage (60) sur un côté d'ouverture d'alimentation en gaz de réaction est prévue dans au moins une partie de l'espace entre le suscepteur (20) et l'anneau de préchauffage (60).
(JA) エピタキシャル膜の厚み均一性を改善することのできるエピタキシャル成長装置を提供する。本発明によるエピタキシャル成長装置は、サセプタ20と、サセプタ20の側面を間隙を介して覆うプリヒートリング60と、を有し、反応ガス供給口側におけるサセプタ20とプリヒートリング60との間隙幅Wよりも、広い間隙幅がサセプタ20とプリヒートリング60との間の少なくとも一部に設けられる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)