このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018163965) 半導体光検出素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/163965 国際出願番号: PCT/JP2018/007843
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 01.03.2018
IPC:
H01L 31/10 (2006.01) ,B82Y 20/00 (2011.01) ,C01B 32/158 (2017.01) ,G01J 1/02 (2006.01) ,H01L 27/148 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
20
ナノ光学,例.量子光学またはフォトニック結晶
[IPC code unknown for C01B 32/158]
G 物理学
01
測定;試験
J
赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1
測光,例.写真の露出計
02
細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
148
電荷結合型固体撮像装置
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
大藤 和人 OFUJI Kazuto; JP
伊藤 将師 ITO Masashi; JP
柴山 勝己 SHIBAYAMA Katsumi; JP
坂本 明 SAKAMOTO Akira; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2017-04417908.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT DETECTION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE DÉTECTION DE LUMIÈRE À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体光検出素子
要約:
(EN) This semiconductor light detection element is provided with: a semiconductor part which has a surface comprising a light reception region that receives incident light, and which performs photoelectric conversion of the incident light that is incident on the light reception region; a metal part which is provided on the surface; and a carbon nanotube film which is provided on the light reception region, and wherein a plurality of carbon nanotubes are accumulated. The carbon nanotube film runs on the upper surface of the metal part from the upper surface of the light reception region.
(FR) L'invention concerne un élément de détection de lumière à sem-conducteur comprenant : une partie semiconductrice qui a une surface comprenant une région de réception de lumière qui reçoit une lumière incidente, et qui effectue une conversion photoélectrique de la lumière incidente qui est incidente sur la région de réception de lumière; une partie métallique qui est disposée sur la surface; et un film de nanotubes de carbone qui est disposé sur la région de réception de lumière, et dans lequel une pluralité de nanotubes de carbone sont accumulés. Le film de nanotubes de carbone s'étend sur la surface supérieure de la partie métallique à partir de la surface supérieure de la région de réception de lumière.
(JA) 半導体光検出素子は、入射光を受ける受光領域を含む表面を有し、受光領域に入射した入射光を光電変換する半導体部と、表面上に設けられた金属部と、受光領域上に設けられ、多数のカーボンナノチューブが堆積してなるカーボンナノチューブ膜と、を備える。カーボンナノチューブ膜は、受光領域の上面から金属部の上面に乗り上げている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)