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1. WO2018163946 - 半導体装置および表示装置

公開番号 WO/2018/163946
公開日 13.09.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/007695
国際出願日 01.03.2018
IPC
H01L 29/786 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
G02F 1/1368 2006.1
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362アクティブマトリックスセル
1368スイッチング素子が三端子の素子であるもの
G09F 9/30 2006.1
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 21/336 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 27/32 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H01L 51/50 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
CPC
G02F 1/1368
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
1368in which the switching element is a three-electrode device
G09F 9/30
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
9Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
30in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
H01L 27/1251
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1251comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
H01L 27/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 伊藤 俊克 ITOH Toshikatsu
  • 今井 元 IMAI Hajime
  • 北川 英樹 KITAGAWA Hideki
  • 菊池 哲郎 KIKUCHI Tetsuo
  • 西宮 節治 NISHIMIYA Setsuji
  • 上田 輝幸 UEDA Teruyuki
  • 原 健吾 HARA Kengo
  • 大東 徹 DAITOH Tohru
  • 鈴木 正彦 SUZUKI Masahiko
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji
優先権情報
2017-04176806.03.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 半導体装置および表示装置
要約
(EN) A semiconductor device (100) according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate (1); a plurality of TFTs (10) supported by the substrate; and a protective layer (20) covering the plurality of TFTs. Each TFT is a back-channel-etched type TFT that includes a gate electrode (2), a gate insulating layer (3), an oxide semiconductor layer (4), a source electrode (5), and a drain electrode (6). The gate electrode has tapered parts (TP) defined by side surfaces (2s) having a tapered shape. When seen from a direction normal to the substrate surface, the outer edges of the oxide semiconductor layer comprise edges (4e1, 4e2) extending in a direction intersecting a channel width direction (DW) and positioned more inside than the edges of the gate electrode in the channel width direction. The distance from the edges of the oxide semiconductor layer to the inner end of the respective tapered part is at least 1.5µm.
(FR) Un dispositif à semiconducteur (100) selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat (1); une pluralité de TFT (10) supportés par le substrat; et une couche de protection (20) recouvrant la pluralité de TFT. Chaque TFT est un TFT de type gravure de canal arrière qui comprend une électrode de grille (2), une couche d'isolation de grille (3), une couche semiconductrice d'oxyde (4), une électrode de source (5) et une électrode de drain (6). L'électrode de grille a des parties effilées (TP) définies par des surfaces latérales (2s) ayant une forme effilée. Vu dans une direction perpendiculaire à la surface du substrat, les bords extérieurs de la couche semiconductrice d'oxyde comprennent des bords (4e1, 4e2) s'étendant dans une direction croisant une direction de largeur de canal (DW) et positionnés plus à l'intérieur que les bords de l'électrode de grille dans la direction de largeur de canal. La distance entre les bords de la couche semiconductrice d'oxyde et l'extrémité interne de la partie effilée respective est d'au moins 1,5 µm.
(JA) 本発明の実施形態による半導体装置(100)は、基板(1)と、基板に支持された複数のTFT(10)と、複数のTFTを覆う保護層(20)とを備える。各TFTは、ゲート電極(2)、ゲート絶縁層(3)、酸化物半導体層(4)、ソース電極(5)およびドレイン電極(6)を有するバックチャネルエッチ型のTFTである。ゲート電極は、テーパ形状を有する側面(2s)によって規定されるテーパ部(TP)を有する。基板面法線方向から見たとき、酸化物半導体層の外縁は、チャネル幅方向(DW)に交差する方向に延びるエッジ(4e1、4e2)であって、チャネル幅方向においてゲート電極のエッジよりも内側に位置するエッジを含む。酸化物半導体層のエッジから、テーパ部の内側端までの距離が1.5μm以上である。
関連特許文献
JP2019504513出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
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