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1. (WO2018163944) 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、液晶表示装置
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国際公開番号: WO/2018/163944 国際出願番号: PCT/JP2018/007668
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 01.03.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333
構造配置
1343
電極
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
古川 博章 FURUKAWA, Hiroaki; --
代理人:
特許業務法人 安富国際特許事務所 YASUTOMI & ASSOCIATES; 大阪府大阪市淀川区宮原3丁目5番36号 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003, JP
優先権情報:
2017-04406308.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、液晶表示装置
要約:
(EN) The present invention provides a semiconductor device capable of ensuring a high level of reliability while realizing higher definition. This semiconductor device comprises a substrate and a thin-film transistor supported by the substrate, wherein the thin-film transistor is provided with: a first conductive section formed on the substrate; a first insulating layer; an oxide semiconductor layer; a second conductive section which contacts a source contact region of the oxide semiconductor layer; a second insulating layer provided with a contact hole for exposing a drain contact region of the oxide semiconductor layer; and a transparent electrode contacting the drain contact region at the contact hole; and when viewed from the normal direction of the substrate, an outer edge of the drain contact region overlaps a portion of an outer edge of the first conductive section, or is arranged further to the inside than the outer edge of the first conductive section.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur capable d'assurer un niveau élevé de fiabilité tout en réalisant une définition plus élevée. Ce dispositif à semiconducteur comprend un substrat et un transistor à couches minces supporté par le substrat, le transistor à couches minces comprenant : une première section conductrice formée sur le substrat; une première couche d'isolation; une couche semiconductrice d'oxyde; une seconde section conductrice qui entre en contact avec une région de contact de source de la couche semiconductrice d'oxyde; une seconde couche d'isolation comprend un trou de contact pour exposer une région de contact de drain de la couche semiconductrice d'oxyde; et une électrode transparente en contact avec la région de contact de drain au niveau du trou de contact; et lorsqu'elle est vue depuis la direction normale du substrat, un bord externe de la région de contact de drain chevauche une partie d'un bord externe de la première section conductrice, ou est disposé davantage vers l'intérieur que le bord externe de la première section conductrice.
(JA) 本発明は、高精細化を実現しつつ、高い信頼性を確保できる半導体装置を提供する。 本発明の半導体装置は、基板と、上記基板に支持された薄膜トランジスタとを備える半導体装置であって、上記薄膜トランジスタは、上記基板上に形成された第一導電部と、第一絶縁層と、酸化物半導体層と、上記酸化物半導体層のソースコンタクト領域と接する第二導電部と、上記酸化物半導体層のドレインコンタクト領域を露出するコンタクトホールが設けられた第二絶縁層と、上記コンタクトホールにおいて上記ドレインコンタクト領域と接する透明電極とを備え、上記基板の法線方向から見たとき、上記ドレインコンタクト領域の外縁は、上記第一導電部の外縁の一部と重なるか、又は、上記第一導電部の外縁よりも内側に配置されるものである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)