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1. (WO2018163865) ヒートシンク付パワーモジュール用基板

Pub. No.:    WO/2018/163865    International Application No.:    PCT/JP2018/006746
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Feb 24 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 23/373
H01L 23/36
H05K 1/02
H05K 7/20
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
三菱マテリアル株式会社
Inventors: YUMOTO, Ryohei
湯本 遼平
OI, Sotaro
大井 宗太郎
Title: ヒートシンク付パワーモジュール用基板
Abstract:
パワーモジュール用基板と、炭化珪素からなる多孔質体にアルミニウム等を含浸して形成されたアルミニウム含浸炭化珪素多孔質体からなるヒートシンクと、を備え、回路層の耐力をσ1(MPa)、回路層の厚みをt1(mm)、回路層とセラミックス基板との接合面積をA1(mm2)、金属層の耐力をσ2(MPa)金属層の厚みをt2(mm)、金属層とセラミックス基板との接合面積をA2(mm2)としたときに、厚みt1が0.1mm以上3.0mm以下に形成され、厚みt2が0.15mm以上5.0mm以下に形成されるとともに、厚みt2が厚みt1よりも大きく形成され、比率{(σ2×t2×A2)/(σ1×t1×A1)}が1.5以上15以下の範囲内とされる。