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1. WO2018163850 - エピタキシャルウェーハ裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法

公開番号 WO/2018/163850
公開日 13.09.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/006517
国際出願日 22.02.2018
IPC
G01N 21/956 2006.1
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21光学的手段,すなわち,赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
84特殊な応用に特に適合したシステム
88きず,欠陥,または汚れの存在の調査
95調査対象物の材質や形に特徴付けられるもの
956物体表面のパターンの検査
H01L 21/66 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01N 21/8806
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8806Specially adapted optical and illumination features
G01N 21/8851
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
G01N 21/9501
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
G01N 21/956
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
956Inspecting patterns on the surface of objects
G01N 21/95607
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
956Inspecting patterns on the surface of objects
95607using a comparative method
G06T 2207/10056
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
2207Indexing scheme for image analysis or image enhancement
10Image acquisition modality
10056Microscopic image
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 松尾 圭子 MATSUO Keiko
  • 和田 直之 WADA Naoyuki
  • 江頭 雅彦 EGASHIRA Masahiko
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
優先権情報
2017-04389208.03.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) EPITAXIAL WAFER REVERSE SURFACE INSPECTING METHOD, EPITAXIAL WAFER REVERSE SURFACE INSPECTING DEVICE, EPITAXIAL GROWTH DEVICE LIFT PIN MANAGEMENT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE SURFACE ENVERS DE TRANCHE ÉPITAXIALE, DISPOSITIF D'INSPECTION DE SURFACE ENVERS DE TRANCHE ÉPITAXIALE, PROCÉDÉ DE GESTION DE BROCHE DE SOULÈVEMENT DE DISPOSITIF DE CROISSANCE ÉPITAXIALE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルウェーハ裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法
要約
(EN) Provided is an epitaxial wafer reverse surface inspecting method capable of detecting a pin mark defect on a reverse surface of an epitaxial wafer, and capable of quantitatively evaluating a defect size of each point-like defect in the pin mark defect. This epitaxial wafer reverse surface inspecting method includes: an imaging step S10 of continuously capturing partial images of an epitaxial wafer reverse surface while causing an optical system to scan by means of a scanning unit; an acquiring step S20 of acquiring an overall image of the reverse surface from the partial images; a detecting step S30 of detecting, from the overall image, a pin mark defect comprising a group formed by a plurality of point-like defects existing on the reverse surface; and a quantifying process step S40 of subjecting each point-like defect in the detected pin mark defect to a quantifying process to calculate a defect area of each point-like defect.
(FR) L'invention concerne un procédé d'inspection de surface envers de tranche épitaxiale apte à détecter un défaut de type marque d'épingle sur une surface envers d'une tranche épitaxiale, et apte à évaluer quantitativement la taille de défaut de chaque défaut analogue à un point dans le défaut type marque d'épingle. Ledit procédé d'inspection de surface envers de tranche épitaxiale comprend : une étape d'imagerie (S10) consistant à capturer en continu des images partielles d'une surface envers de tranche épitaxiale tout en amenant un système optique à effectuer un balayage au moyen d'une unité de balayage; une étape d'acquisition (S20) consistant à acquérir une image globale de la surface envers à partir des images partielles; une étape de détection (S30) consistant à détecter, à partir de l'image globale, un défaut de type marque d'épingle comprenant un groupe formé par une pluralité de défauts de type point existant sur la surface envers; et une étape de traitement de quantification (S40) consistant à soumettre chaque défaut de type point dans le défaut de type marque d'épingle détecté à un processus de quantification afin de calculer une aire de défaut de chaque défaut de type point.
(JA) エピタキシャルウェーハ裏面のピンマーク欠陥を検出し、かつ、当該ピンマーク欠陥のそれぞれの点状欠陥の欠陥サイズを定量的に評価することのできるエピタキシャルウェーハ裏面検査方法を提供する。本発明によるエピタキシャルウェーハ裏面の検査方法は、光学系を走査部により走査しつつ、エピタキシャルウェーハ裏面のパーツ画像を連続的に撮影する撮影工程S10と、前記パーツ画像から、前記裏面の全体画像を取得する取得工程S20と、前記全体画像から、前記裏面に存在する複数の点状欠陥のなす組からなるピンマーク欠陥を検出する検出工程S30と、前記検出した前記ピンマーク欠陥のそれぞれの点状欠陥を数値化処理して、前記それぞれの点状欠陥の欠陥面積を算出する数値化処理工程S40と、を含む。
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