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1. (WO2018163841) 弾性波装置、弾性波装置パッケージ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
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国際公開番号: WO/2018/163841 国際出願番号: PCT/JP2018/006418
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 22.02.2018
IPC:
H03H 9/25 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
岩本 英樹 IWAMOTO, Hideki; JP
代理人:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
優先権情報:
2017-04468709.03.2017JP
発明の名称: (EN) ELASTIC WAVE DEVICE, ELECTRIC WAVE DEVICE PACKAGE, MULTIPLEXER, HIGH-FREQUENCY FRONT END CIRCUIT, AND COMMUNICATIONS DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES, BOÎTIER DE DISPOSITIF À ONDES ÉLECTRIQUES, MULTIPLEXEUR, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、弾性波装置パッケージ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
要約:
(EN) Provided is an elastic wave device whereby the frequency position of high-order modes propagating inside a support substrate comprising silicon is unlikely to vary. The elastic wave device 1 comprises: a support substrate 2 comprising silicon; a piezoelectric body 4 directly or indirectly provided upon the support substrate 2 and having a pair of mutually facing main surfaces; and an IDT electrode 5 directly or indirectly provided upon at least one main surface of the piezoelectric body 4 and having a wavelength λ determined by electrode finger pitch. The acoustic velocity Vsi = (V1)1/2 of bulk waves propagating inside the support substrate 2 is at least 5,500 m/s, said acoustic velocity being defined by V1, among the solutions V1, V2, V3 for x derived from formula (2). Ax3 + Bx2 + Cx + D = 0 … formula (2)
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques grâce auquel la position de fréquence de modes d'ordre élevé se propageant à l'intérieur d'un substrat de support comprenant du silicium est peu susceptible de varier. Le dispositif à ondes élastiques 1 comprend : un substrat de support 2 comprenant du silicium ; un corps piézoélectrique 4 disposé directement ou indirectement sur le substrat de support 2 et ayant une paire de surfaces principales se faisant mutuellement face ; et une électrode IDT 5 directement ou indirectement disposée sur au moins une surface principale du corps piézoélectrique 4 et ayant une longueur d'onde λ déterminée par un pas de doigt d'électrode. La vitesse acoustique Vsi = (V1)1/2 d'ondes en vrac se propageant à l'intérieur du substrat de support 2 est d'au moins 5 500 m/s, ladite vitesse acoustique étant définie par V1, parmi les solutions V1, V2, V3 pour x dérivé de la formule (2). Ax3 + Bx2 + Cx + D = 0 … formule (2)
(JA) シリコンで構成される支持基板内を伝搬する高次モードの周波数位置がばらつき難い、弾性波装置を提供する。 シリコンで構成される支持基板2と、支持基板2上に直接的または間接的に設けられており、対向し合う一対の主面を有する圧電体4と、圧電体4の少なくとも一方の主面上に直接的または間接的に設けられており、電極指ピッチで定まる波長がλであるIDT電極5とを備え、下記の式(2)から導き出されるxの解V,V,VのうちのVにより規定される、支持基板2内を伝搬するバルク波の音速VSi=(V1/2が、5500m/秒以上である、弾性波装置1。 Ax+Bx+Cx+D=0 …式(2)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)