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1. (WO2018163839) 半導体装置、及び、製造方法

Pub. No.:    WO/2018/163839    International Application No.:    PCT/JP2018/006416
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Feb 23 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/3205
H01L 21/768
H01L 21/822
H01L 23/522
H01L 27/04
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: MIYAKE Shinichi
三宅 慎一
Title: 半導体装置、及び、製造方法
Abstract:
本技術は、PIDを低減することができるようにする半導体装置、及び、製造方法に関する。 第1の層と、第1の層と積層される第2の層と、第1の層と第2の層に形成される溝部の側面に接触する導電性部材と、第2の層に形成され、溝部の底面に接触する第1の配線とを有し、導電性部材は、溝部内に蓄積された電荷を排出するための保護素子と接続される半導体装置が提供される。本技術は、例えば、積層されたシリコン基板と層間膜に対して、ビアを加工する際に適用することができる。