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1. (WO2018163752) ウェーハの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/163752    International Application No.:    PCT/JP2018/005366
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Feb 17 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/304
B24B 27/06
B28D 5/02
B28D 5/04
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: KITAGAWA Koji
北川 幸司
SATO Michito
佐藤 三千登
Title: ウェーハの製造方法
Abstract:
本発明は、半導体単結晶インゴットを切断することでウェーハを製造する方法であって、ワイヤソーを用いて半導体単結晶インゴットをスライスすることでウェーハ状のワークを得た後に、レーザーを用いてウェーハ状のワークを厚さ方向に分割することで、それぞれのウェーハ状のワークから複数のウェーハを得ることを特徴とするウェーハの製造方法である。これにより、シリコンインゴットや化合物半導体インゴット等の半導体単結晶インゴットをウェーハ状に切断する方法において、生産性を大きく落とすことなく、カーフ代を削減可能なウェーハの製造方法が提供される。