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1. (WO2018163730) 制御回路、半導体記憶装置、情報処理装置及び制御方法

Pub. No.:    WO/2018/163730    International Application No.:    PCT/JP2018/005037
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Feb 15 00:59:59 CET 2018
IPC: G11C 11/16
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: TEZUKA, Hiroyuki
手塚 宙之
Title: 制御回路、半導体記憶装置、情報処理装置及び制御方法
Abstract:
【課題】簡易な構成によって消費電力の増加を抑えるだけでなく、記憶素子の誤書き込みや破壊を防ぐことが可能な制御回路を提供する。 【解決手段】ソース線と、ビット線と、前記ソース線と前記ビット線との間に設けられワード線の電位によってオンまたはオフが切り替わるトランジスタと、前記トランジスタと直列に接続されるメモリ素子と、を備えるメモリセルに対し、前記ワード線の活性化に応じて前記ソース線及び前記ビット線に蓄積された電荷を排出させるための信号を出力し、書き込みまたは読み出しの開始までに前記ソース線及び前記ビット線をフローティング状態にさせる信号を出力する、制御回路が提供される。