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1. (WO2018163650) エッチング液組成物及びエッチング方法
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国際公開番号: WO/2018/163650 国際出願番号: PCT/JP2018/002522
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 26.01.2018
IPC:
H01L 21/308 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
出願人:
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
発明者:
大宮 大輔 OMIYA Daisuke; JP
代理人:
近藤 利英子 KONDO Rieko; JP
菅野 重慶 SUGANO Shigeyoshi; JP
岡田 薫 OKADA Kaoru; JP
竹山 圭太 TAKEYAMA Keita; JP
優先権情報:
2017-04646910.03.2017JP
発明の名称: (EN) ETCHANT COMPOSITION AND ETCHING METHOD
(FR) COMPOSITION D'AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング液組成物及びエッチング方法
要約:
(EN) Provided is an etchant composition useful for etching indium oxide-based layers, said etchant composition being free from hydrogen chloride but yet causing little width thinning by etching, showing good linearity and being capable of forming a thin wire with a desired width. The etchant composition, which is to be used for etching indium oxide-based layers, comprises: (A) 0.01-15 mass% of hydrogen peroxide; (B) 1-40 mass% of sulfuric acid; (C) 0.01-10 mass% of an amide compound represented by general formula (1) [wherein R1, R2 and R3 represent hydrogen, an alkyl group having 1-8 carbon atoms, etc.]; (D) 0.00001-0.1 mass% of a halide ion source (excluding a fluoride ion source); (E) 0.001-1 mass% of a fluoride ion source; and water.
(FR) L'invention concerne une composition d'agent d'attaque chimique servant à graver des couches à base d'oxyde d'indium, ladite composition d'agent d'attaque chimique est exempte de chlorure d'hydrogène mais provoque cependant un faible amincissement de la largeur au moyen de la gravure. La composition d'agent d'attaque chimique présente une bonne linéarité et peut former un fil mince comportant une largeur souhaitée. La composition d'agent d'attaque chimique, qui doit être utilisée pour graver des couches à base d'oxyde d'indium, comprend : (A) 0,01 à 15 % en masse de peroxyde d'hydrogène ; (B) 1 à 40 % en masse d'acide sulfurique ; (C) 0,01 à 10 % en masse d'un composé amide représenté par la formule générale (1) [R1, R2 et R3 représentent l'hydrogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 8 atomes de carbone, etc.] ; (D) 0,00001 à 0,1 % en masse d'une source d'ions halogénures (hors source d'ions fluorures) ; (E) 0,001 à 1 % en masse d'une source d'ions fluorures ; et de l'eau.
(JA) 塩化水素を含有しなくとも、エッチングによる細り幅が少なく、直線性が良好であるとともに所望の幅を有する細線を形成することが可能な、酸化インジウム系層のエッチングに有用なエッチング液組成物を提供する。酸化インジウム系層をエッチングするためのエッチング液組成物である。(A)過酸化水素0.01~15質量%;(B)硫酸1~40質量%;(C)下記一般式(1)(R1、R2、及びR3:水素、炭素原子数1~8のアルキル基等)で表されるアミド化合物0.01~10質量%;(D)ハロゲン化物イオン供給源(但し、フッ化物イオン供給源を除く)0.00001~0.1質量%;(E)フッ化物イオン供給源0.001~1質量%;及び水を含有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)