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1. (WO2018163618) 磁気メモリ及び磁気メモリの記録方法
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国際公開番号: WO/2018/163618 国際出願番号: PCT/JP2018/001696
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 22.01.2018
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02
磁気的素子を用いるもの
16
記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
大森 広之 OHMORI, Hiroyuki; JP
細見 政功 HOSOMI, Masanori; JP
肥後 豊 HIGO, Yutaka; JP
内田 裕行 UCHIDA, Hiroyuki; JP
長谷 直基 HASE, Naoki; JP
佐藤 陽 SATO, Yo; JP
代理人:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
松本 一騎 MATSUMOTO, Kazunori; JP
優先権情報:
2017-04467609.03.2017JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC MEMORY AND MAGNETIC MEMORY RECORDING METHOD
(FR) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ D'ENREGISTREMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気メモリ及び磁気メモリの記録方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a magnetic memory with which the occurrence of inversion errors can be suppressed and stable recording can be achieved. [Solution] A magnetic memory comprises: a spin orbit layer in which spin-polarized electrons are generated by a current; a magnetic memory element that is provided on the spin orbit layer and that has a laminated structure consisting of an insulating layer and a magnetic layer in which the magnetization direction changes according to the information to be recorded; and a voltage application layer that applies a voltage to the magnetic layer via the insulating layer. The voltage application layer applies the voltage to the magnetic layer at the same time that the current flows to the spin orbit layer so as to change the magnetic anisotropy or the magnetic braking constant of the magnetic layer.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une mémoire magnétique permettant de supprimer la survenue d'erreurs d'inversion et d'obtenir un enregistrement stable. La solution selon l'invention porte sur une mémoire magnétique qui comprend : une couche d'orbite de spin dans laquelle des électrons polarisés par spin sont générés par un courant ; un élément de mémoire magnétique disposé sur la couche d'orbite de spin et qui présente une structure stratifiée constituée d'une couche isolante et d'une couche magnétique dont la direction de magnétisation change selon les informations à enregistrer ; et une couche d'application de tension qui applique une tension à la couche magnétique par l'intermédiaire de la couche isolante. La couche d'application de tension applique la tension à la couche magnétique en même temps que le courant circule vers la couche d'orbite de spin de façon à modifier l'anisotropie magnétique ou la constante de freinage magnétique de la couche magnétique.
(JA) 【課題】反転エラーの発生を抑え、安定した記録を行うことが可能な磁気メモリを提供する。 【解決手段】電流によりスピン偏極電子が生じるスピン軌道層と、記録する情報に応じて磁化方向が変化する磁性層及び絶縁層からなる積層構造を持ち、前記スピン軌道層上に設けられた磁気メモリ素子と、前記絶縁層を介して前記磁性層に電圧を印加する電圧印加層と、を備え、前記電圧印加層は、前記スピン軌道層に前記電流が流れると同時に、前記磁性層に対して電圧を印加することにより、当該磁性層の磁気異方性もしくは磁気制動定数を変化させる、磁気メモリを提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)