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1. (WO2018163617) 表面処理組成物及びその製造方法、表面処理方法、並びに半導体基板の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/163617 国際出願番号: PCT/JP2018/001646
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 19.01.2018
IPC:
C11D 1/22 (2006.01) ,C11D 1/14 (2006.01) ,C11D 1/28 (2006.01) ,C11D 1/29 (2006.01) ,C11D 1/34 (2006.01) ,C11D 3/37 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
1
本質的に表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物;その化合物の洗浄剤としての用途
02
陰イオン性化合物
12
スルホン酸または硫酸エステル;それらの塩
22
芳香族化合物から誘導されるもの
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
1
本質的に表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物;その化合物の洗浄剤としての用途
02
陰イオン性化合物
12
スルホン酸または硫酸エステル;それらの塩
14
脂肪族炭化水素またはモノアルコールから誘導されるもの
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
1
本質的に表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物;その化合物の洗浄剤としての用途
02
陰イオン性化合物
12
スルホン酸または硫酸エステル;それらの塩
28
脂肪酸またはその誘導体,例.エステル,アミド,から誘導されるスルホン化生成物
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
1
本質的に表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物;その化合物の洗浄剤としての用途
02
陰イオン性化合物
12
スルホン酸または硫酸エステル;それらの塩
29
ポリオキシアルキレンエーテルの硫酸塩
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
1
本質的に表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物;その化合物の洗浄剤としての用途
02
陰イオン性化合物
34
りんの酸からの誘導体
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
3
1/00に包含される洗浄性組成物の他の配合成分
16
有機化合物
37
重合体
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
発明者:
石田 康登 ISHIDA, Yasuto; JP
代理人:
八田国際特許業務法人 HATTA & ASSOCIATES; 東京都千代田区二番町11番地9 ダイアパレス二番町 Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084, JP
優先権情報:
2017-04413308.03.2017JP
発明の名称: (EN) SURFACE TREATMENT COMPOSITION, PRODUCTION METHOD THEREFOR, SURFACE TREATMENT METHOD, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION DE TRAITEMENT DE SURFACE AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 表面処理組成物及びその製造方法、表面処理方法、並びに半導体基板の製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a means for sufficiently removing residue on the surface of a polished object to be polished that includes silicon nitride, silicon oxide, or polysilicon. [Solution] A surface treatment composition that: contains water and an anionic surfactant that has a molecular weight of no more than 1,000; and has a pH of less than 7. The surface treatment composition: has a ratio (molecular weight of the hydrophilic moiety/molecular weight of the hydrophobic moiety) between the hydrophilic molecular weight and the hydrophobic molecular weight of the anionic surfactant of at least 0.4 (the hydrophobic moiety being a C4 or higher hydrocarbon group and the hydrophilic moiety being a moiety excluding the hydrophobic moiety and counter ions); and is used for surface treating a polished object to be polished that includes at least one type selected from the group consisting of silicon nitride, silicon oxide, and polysilicon.
(FR) L’invention a pour objet de fournir un moyen destiné à retirer de manière suffisante des résidus à la surface d’un objet à polir à l’aide d’un agent de polissage, laquelle surface contient un nitrure de silicium, un oxyde de silicium ou un polysilicium. Plus précisément, l’invention concerne une composition de traitement de surface de pH inférieur à 7, et comprenant un tensio-actif anionique de masse moléculaire inférieure ou égale à 1000, et une eau. La proportion en masse moléculaire d’une partie hydrophile (masse moléculaire de partie hydrophile / masse moléculaire de partie hydrophobe) est supérieure ou égale à 0,4 par rapport à la masse moléculaire d’une partie hydrophobe du tensio-actif anionique (la partie hydrophobe consiste en un groupe hydrocarbure de nombre d’atomes de carbone supérieur ou égal à 4, et la partie hydrophile consiste en une portion excluant la partie hydrophobe et des contre-ions. Cette composition de traitement de surface est mise en œuvre afin de traiter en surface un objet à polir à l’aide d’un agent de polissage contenant au moins un élément choisi dans un groupe constitué d’un nitrure de silicium, d’un oxyde de silicium et d’un polysilicium.
(JA) 【課題】窒化ケイ素、酸化ケイ素、又はポリシリコンを含む研磨済研磨対象物表面の残渣を十分に除去する手段を提供することを目的とする。 【解決手段】分子量が1,000以下であるアニオン性界面活性剤と、水と、を含有し、pHが7未満である表面処理用組成物であって、アニオン性界面活性剤の疎水部の分子量に対する、親水部の分子量の割合(親水部の分子量/疎水部の分子量)が0.4以上であり(ここで、疎水部は炭素数4以上の炭化水素基であり、親水部は疎水部及び対イオンを除いた部分であり)、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及びポリシリコンからなる群から選択される少なくとも1種を含む研磨済研磨対象物を表面処理するために用いられる、表面処理組成物。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)