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1. (WO2018163599) 半導体装置、その製造方法および半導体モジュール

Pub. No.:    WO/2018/163599    International Application No.:    PCT/JP2018/000848
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jan 16 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/56
H01L 21/50
H01L 23/29
H01L 23/31
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: YOKOYAMA, Yoshinori
横山 吉典
FUJITA, Jun
藤田 淳
SHINOHARA, Toshiaki
篠原 利彰
KOBAYASHI, Hiroshi
小林 浩
Title: 半導体装置、その製造方法および半導体モジュール
Abstract:
薄厚の半導体素子の搬送時における欠けの発生を抑制した半導体装置を得る。おもて面側に表面電極(2)を有し、裏面側に裏面電極(3)を有する薄厚の半導体素子(1)と、半導体素子(1)の厚み以上の厚みであり、表面電極(2)または裏面電極(3)の少なくとも一方に形成された金属部材(4,8)と、半導体素子(1)のおもて面の一部を露出し、金属部材(4,8)の側面と接して金属部材(4,8)の周囲を囲む樹脂部材(5)と、を備えた半導体装置。