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1. (WO2018163583) 磁気メモリ、磁気メモリの記録方法及び磁気メモリの読み出し方法
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国際公開番号: WO/2018/163583 国際出願番号: PCT/JP2018/000110
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 05.01.2018
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,G11C 11/56 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
11
特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
56
ステップによって表わされる3以上の安定状態を有する記憶素子を用いるもの,例.電圧によるもの,電流によるもの,位相によるもの,周波数によるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
大森 広之 OHMORI, Hiroyuki; JP
細見 政功 HOSOMI, Masanori; JP
肥後 豊 HIGO, Yutaka; JP
内田 裕行 UCHIDA, Hiroyuki; JP
長谷 直基 HASE, Naoki; JP
佐藤 陽 SATO, Yo; JP
代理人:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
松本 一騎 MATSUMOTO, Kazunori; JP
優先権情報:
2017-04467809.03.2017JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC MEMORY RECORDING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY READING METHOD
(FR) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, PROCÉDÉ D'ENREGISTREMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ DE LECTURE DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気メモリ、磁気メモリの記録方法及び磁気メモリの読み出し方法
要約:
(EN) Provided is a magnetic memory with which multivalued information can be recorded in a first memory cell (10) and an increase in the manufacturing costs can be suppressed, the magnetic memory comprising: first and second tunnel junction elements (100a, 100b), each comprising a laminated structure consisting of a reference layer (202) in which the magnetization direction is fixed, a recording layer (206) in which the magnetization direction can be inverted, and an insulating layer (204) that is retained between the reference layer and the recording layer; a first selection transistor (300) that is electrically connected to one end of the first and second tunnel junction elements; first wiring (400a) that is electrically connected to the other end of the first tunnel junction element; and second wiring (400b) that is electrically connected to the other end of the second tunnel junction element.
(FR) L'invention concerne une mémoire magnétique avec laquelle des informations multivaluées peuvent être enregistrées dans une première cellule de mémoire (10) et une augmentation des coûts de fabrication peut être supprimée, la mémoire magnétique comprenant : des premier et second éléments de jonction tunnel (100a, 100b), comprenant chacun une structure stratifiée constituée d'une couche de référence (202) dans laquelle la direction de magnétisation est fixée, d'une couche d'enregistrement (206) dans laquelle la direction de magnétisation peut être inversée, et d'une couche d'isolation (204) qui est retenue entre la couche de référence et la couche d'enregistrement; un premier transistor de sélection (300) qui est connecté électriquement à une extrémité des premier et second éléments de jonction tunnel; un premier câblage (400a) qui est électriquement connecté à l'autre extrémité du premier élément de jonction tunnel; et un second câblage (400b) qui est électriquement connecté à l'autre extrémité du second élément de jonction tunnel.
(JA) 磁化方向が固定された参照層(202),磁化方向が反転可能な記録層(206),及び前記参照層と前記記録層との間に挟持された絶縁層(204)からなる積層構造をそれぞれ有する第1及び第2のトンネル接合素子(100a,100b)と,前記第1及び第2のトンネル接合素子の一端に電気的に接続された第1の選択トランジスタ(300)と,前記第1のトンネル接合素子の他端と電気的に接続された第1の配線(400a)と,前記第2のトンネル接合素子の他端と電気的に接続された第2の配線(400b)とを備える,1つのメモリセル(10)に多値情報を記録しつつ,製造コストの増加を抑えることが可能な磁気メモリを提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)