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1. (WO2018163502) 成膜方法および電子装置の製造方法並びにプラズマ原子層成長装置

Pub. No.:    WO/2018/163502    International Application No.:    PCT/JP2017/039427
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 01 00:59:59 CET 2017
IPC: C23C 16/04
C23C 16/455
H01L 21/31
H01L 51/50
H05B 33/04
H05B 33/10
Applicants: THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
株式会社日本製鋼所
Inventors: WASHIO, Keisuke
鷲尾 圭亮
NAKATA, Masao
中田 真生
MATSUMOTO, Tatsuya
松本 竜弥
SHIDA, Junichi
次田 純一
Title: 成膜方法および電子装置の製造方法並びにプラズマ原子層成長装置
Abstract:
荷電粒子を使用した成膜技術において、漏洩磁界に起因する膜厚分布の乱れを抑制する。成膜方法は、プラズマが発生している期間にわたって、磁界の発生を停止する一方、プラズマが発生していない期間にわたって、磁界を発生させるように、成膜動作中に磁界の発生/停止を切り換える技術的思想を具現化した成膜方法である。