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1. (WO2018163396) 半導体製造装置および半導体製造方法

Pub. No.:    WO/2018/163396    International Application No.:    PCT/JP2017/009661
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 11 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/306
H01L 21/3065
H01L 21/66
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: TANAKA Hiroshi
田中 博司
Title: 半導体製造装置および半導体製造方法
Abstract:
回転機構部(20)は、少なくとも一部がエッチングされることになる被エッチング領域を含むウエハ(10)を回転させる。エッチング機構部(30)は、被エッチング領域をエッチングする。厚み測定機能(40)は、被エッチング領域の厚みを測定することによって経時的厚みデータを生成する。エッチング制御機能(50)は、被エッチング領域の厚みの代表値(7a)が目標厚み値に到達した時点でエッチング機構部(30)を停止させる。厚み算出機能(60)は、Nを自然数としてウエハ(10)がN回転させられる単位期間ごとに、経時的厚みデータのうち単位期間中に測定される範囲である測定区間の測定値(7)に基づいて厚みの代表値(7a)を算出する。