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1. (WO2018163320) 主変換回路、電力変換装置及び移動体
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国際公開番号: WO/2018/163320 国際出願番号: PCT/JP2017/009239
国際公開日: 13.09.2018 国際出願日: 08.03.2017
IPC:
H02M 1/00 (2007.01) ,H02M 1/08 (2006.01) ,H02M 7/5387 (2007.01)
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1
変換装置の細部
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1
変換装置の細部
08
静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
53
制御信号の連続的印加を必要とする三極管またはトランジスタ型式の装置を用いるもの
537
半導体装置のみを用いるもの(例.1石型インバータ)
5387
ブリッジ構成におけるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
酒井 純也 SAKAI, Junya; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) MAIN CONVERSION CIRCUIT, POWER CONVERSION DEVICE, AND MOVING BODY
(FR) CIRCUIT DE CONVERSION PRINCIPAL, DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET CORPS MOBILE
(JA) 主変換回路、電力変換装置及び移動体
要約:
(EN) A main conversion device has a plurality of semiconductor devices (1) connected in parallel with each other. A gate driver (13) supplies a gate voltage to the gates of the semiconductor devices (1). Gate interconnections (14, 16) are each sequentially connected to the gates of the semiconductor devices (1) from the gate driver (13). The energizing ability of each of the semiconductor devices (1) indicates how easily collector current flows in response to the supplied gate voltage. The semiconductor devices (1) are connected such that a semiconductor device (1) having a lower energizing ability is connected closer to the gate driver (13).
(FR) L'invention concerne un dispositif de conversion principal comportant une pluralité de dispositifs à semi-conducteur (1) connectés en parallèle les uns aux autres. Un circuit d'attaque de grille (13) fournit une tension de grille aux grilles des dispositifs à semi-conducteur (1). Des interconnexions de grille (14, 16) sont chacune connectées séquentiellement aux grilles des dispositifs à semi-conducteur (1) à partir du circuit d'attaque de grille (13). La capacité d'excitation de chacun des dispositifs à semi-conducteur (1) indique à quel point le courant de collecteur s'écoule facilement en réponse à la tension de grille fournie. Les dispositifs à semi-conducteur (1) sont connectés de sorte qu'un dispositif à semi-conducteur (1) ayant une capacité d'excitation inférieure soit connecté plus près du circuit d'attaque de grille (13).
(JA) 複数の半導体装置(1)が互いに並列に接続されている。ゲートドライバ(13)が複数の半導体装置(1)のゲートにゲート電圧を供給する。ゲート配線(14,16)がゲートドライバ(13)から複数の半導体装置(1)のゲートに順に接続されている。各半導体装置(1)の通電能力は、供給されたゲート電圧に対するコレクタ電流の流れ易さである。複数の半導体装置(1)は、通電能力が低いものほどゲートドライバ(13)の近くに接続されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)