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1. (WO2018163287) アクティブマトリクス基板の製造方法、有機EL表示装置の製造方法およびアクティブマトリクス基板

Pub. No.:    WO/2018/163287    International Application No.:    PCT/JP2017/009010
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 08 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 29/786
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: SAITOH, Takao
斉藤 貴翁
KANZAKI, Yohsuke
神崎 庸輔
MIWA, Masahiko
三輪 昌彦
YAMANAKA, Masaki
山中 雅貴
KANEKO, Seiji
金子 誠二
Title: アクティブマトリクス基板の製造方法、有機EL表示装置の製造方法およびアクティブマトリクス基板
Abstract:
ゲート電極形成工程において、第1金属膜(18a)上に、不活性ガスの雰囲気に酸素または窒素を添加して第2金属膜(18b)を成膜し、第1金属膜(18a)および第2金属膜(18b)をパーニングした後、酸素または窒素を用いてプラズマ処理を行うことで第3金属膜(18c)を形成することでゲート電極(18)を形成する。これにより、生産効率の低下を抑制しつつ針状結晶または粒状結晶が形成されることを防止する。