WO2018163020 導電体、導電体の作製方法、半導体装置、および半導体装置の作製方法

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1. (WO2018163020) 導電体、導電体の作製方法、半導体装置、および半導体装置の作製方法

国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号:	WO/2018/163020	国際出願番号:	PCT/IB2018/051251
国際公開日:	13.09.2018	国際出願日:	28.02.2018

IPC:

H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 27/1156 (2017.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)

出願人:

株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷３９８ 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP

発明者:

木村俊介 KIMURA, Shunsuke; --

森若智昭 MORIWAKA, Tomoaki; JP

山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei; JP

優先権情報:

2017-045670

10.03.2017

発明の名称:

(EN) CONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 導電体、導電体の作製方法、半導体装置、および半導体装置の作製方法

要約:

(EN) In order to provide a semiconductor device with high reliability and favorable electrical characteristics, this semiconductor device has: a first insulator having an opening; a first conductor provided inside the opening and having a first recessed part; a second conductor contacting the bottom surface of the first recessed part; a third conductor contacting a side surface of the first recessed part and the upper surface of the second conductor, and having a second recessed part; a fourth conductor provided in the second recessed part; a second insulator over the first insulator, the first conductor, the second conductor, the third conductor, and the fourth conductor; and an oxide that overlaps the fourth conductor with the second insulator disposed therebetween.
(FR) Afin de fournir un dispositif à semiconducteur ayant une fiabilité élevée et des caractéristiques électriques favorables, l'invention concerne un dispositif à semiconducteur comprenant : un premier isolant ayant une ouverture; un premier conducteur disposé à l'intérieur de l'ouverture et ayant une première partie évidée; un second conducteur en contact avec la surface inférieure de la première partie évidée; un troisième conducteur en contact avec une surface latérale de la première partie évidée et la surface supérieure du second conducteur, et ayant une seconde partie évidée; un quatrième conducteur disposé dans la seconde partie évidée; un second isolant sur le premier isolant, le premier conducteur, le second conducteur, le troisième conducteur et le quatrième conducteur; et un oxyde qui chevauche le quatrième conducteur avec le second isolant disposé entre eux.
(JA) 電気特性が良好で、信頼性の高い半導体装置を提供する。開口を有する第１の絶縁体と、開口の内部に設けられ、且つ第１の凹部を有する第１の導電体と、第１の凹部の底面に接する第２の導電体と、記第１の凹部の側面と第２の導電体の上面に接し、且つ第２の凹部を有する第３の導電体と、第２の凹部に設けられた第４の導電体と、第１の絶縁体、第１の導電体、第２の導電体、第３の導電体、および第４の導電体上の第２の絶縁体と、第２の絶縁体を間に挟み、前記第４の導電体と重なる酸化物を有する。

指定国:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)

国際公開言語:

日本語 (JA)

国際出願言語:

日本語 (JA)

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