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1. (WO2018159783) 多孔質膜封孔方法および多孔質膜封孔用材料
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国際公開番号: WO/2018/159783 国際出願番号: PCT/JP2018/007895
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 01.03.2018
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
532
材料に特徴のあるもの
出願人:
レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75007 パリ、カイ・ドルセイ 75 75 Quai d'Orsay, F-75007 Paris, FR
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
占部 継一郎 URABE, Keiichiro; JP
沈 鵬 SHEN, Peng; JP
デュサラ クリスチャン DUSSARRAT, Christian; JP
服部 大輝 HATTORI, Taiki; JP
田原 慈 TAHARA, Shigeru; JP
代理人:
大渕 美千栄 OFUCHI, Michie; JP
布施 行夫 FUSE, Yukio; JP
優先権情報:
2017-04070803.03.2017JP
発明の名称: (EN) POROUS FILM SEALING METHOD AND POROUS FILM SEALING MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE SCELLAGE DE FILM POREUX ET MATÉRIAU DE SCELLAGE DE FILM POREUX
(JA) 多孔質膜封孔方法および多孔質膜封孔用材料
要約:
(EN) Provided are a porous film sealing method and a porous film sealing material for sealing an object having a porous film to be sealed. A porous film sealing method according to the present invention is characterized by including a first step for supplying a first material into a treatment container that stores an object having a porous film to be sealed, wherein the first material includes a nonaromatic fluorocarbon having 6 or more carbon atoms.
(FR) L'invention concerne un procédé de scellage de film poreux et un matériau de scellage de film poreux pour sceller un objet comportant un film poreux à sceller. Un procédé de scellage de film poreux selon la présente invention est caractérisé en ce qu'il comprend une première étape consistant à introduire un premier matériau dans un récipient de traitement qui stocke un objet ayant un film poreux à sceller, le premier matériau contenant un fluorocarbone non aromatique ayant au moins 6 atomes de carbone.
(JA) 多孔質膜を有する被封孔処理体に封孔処理をする多孔質膜封孔方法および多孔質膜封孔用材料を提供する。 本発明に係る多孔質膜封孔方法は、多孔質膜を有する被封孔処理体が収容された処理容器内に第1の材料を供給する第1の工程を含み、前記第1の材料は、炭素原子数が6以上の非芳香族フルオロカーボンを含むことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)