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1. (WO2018159754) 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板

Pub. No.:    WO/2018/159754    International Application No.:    PCT/JP2018/007755
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018
IPC: C30B 29/36
H01L 21/205
Applicants: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
信越化学工業株式会社
CUSIC INC.
株式会社CUSIC
Inventors: NAGASAWA Hiroyuki
長澤 弘幸
KUBOTA Yoshihiro
久保田 芳宏
AKIYAMA Shoji
秋山 昌次
Title: 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板
Abstract:
炭素、珪素又は炭化珪素からなる母材基板1aの両面に、酸化珪素、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドを含む被覆層1b、1bを設け、その被覆層1b、1b表面を平滑面とした支持基板1を準備する工程と、上記支持基板1の両面に気相成長法又は液相成長法で多結晶炭化珪素の膜10を形成する工程と、上記支持基板1のうち、少なくとも被覆層1b、1bを化学的に除去して該支持基板1から表面に被覆層1b表面の平滑性を反映させたままで多結晶炭化珪素の膜を分離し、この多結晶炭化珪素の膜を結晶粒径が10nm以上10μm以下であり、少なくとも一方の主面の算術平均粗さRaが0.3nm以下である炭化珪素基板10a、10bとして得る工程とを有する炭化珪素基板の製造方法である。これにより表面が平滑かつ平坦であり、かつ内部応力も低減した炭化珪素基板を実現する。