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1. (WO2018159753) スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/159753    International Application No.:    PCT/JP2018/007754
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018
IPC: C23C 14/34
B22F 3/10
C04B 35/45
C22C 1/05
C22C 29/12
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
三菱マテリアル株式会社
Inventors: SAITO Atsushi
齋藤 淳
IO Kensuke
井尾 謙介
Title: スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
Abstract:
このスパッタリングターゲットは、金属銅相と酸化銅相とを有し、前記酸化銅相の体積率が80vol%を超えて90vol%以下の範囲内とされており、X線光電子分光分析の結果、CuOのピーク強度IP1とCu及びCu2Oのピーク強度IP2との比IP1/IP2が、0.03以上0.4以下の範囲内とされていることを特徴とする。