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1. (WO2018159699) 半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス
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国際公開番号: WO/2018/159699 国際出願番号: PCT/JP2018/007580
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 28.02.2018
IPC:
C09K 11/62 (2006.01) ,B82Y 30/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01) ,C01G 15/00 (2006.01) ,C09K 11/08 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01)
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
11
発光性物質,例.電気発光性物質;化学発光性物質
08
無機発光性物質を含有するもの
62
ガリウム,インジウムまたはタリウムを含むもの
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
30
材料または表面科学のためのナノテクノロジー,例.ナノ複合材料
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
40
ナノ構造物の製造または処理
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
15
ガリウム,インジウム,またはタリウム化合物
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
11
発光性物質,例.電気発光性物質;化学発光性物質
08
無機発光性物質を含有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
50
波長変換要素
出願人:
国立大学法人名古屋大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 愛知県名古屋市千種区不老町1番 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648601, JP
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山田丘1番1号 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
日亜化学工業株式会社 NICHIA CORPORATION [JP/JP]; 徳島県阿南市上中町岡491番地100 491-100, Oka, Kaminaka-cho, Anan-shi, Tokushima 7748601, JP
発明者:
鳥本 司 TORIMOTO, Tsukasa; JP
亀山 達矢 KAMEYAMA, Tatsuya; JP
岸 まり乃 KISHI, Marino; JP
宮前 千恵 MIYAMAE, Chie; JP
桑畑 進 KUWABATA, Susumu; JP
上松 太郎 UEMATSU, Taro; JP
小谷松 大祐 OYAMATSU, Daisuke; JP
仁木 健太 NIKI, Kenta; JP
代理人:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
膝舘 祥治 HIZATATE, Shoji; JP
優先権情報:
2017-03747728.02.2017JP
2018-02525115.02.2018JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLES-CI, ET DISPOSITIF LUMINESCENT
(JA) 半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス
要約:
(EN) Provided is a semiconductor nanoparticle that demonstrates band-edge luminescence and that has a short light emission peak wavelength. The semiconductor nanoparticle comprises Ag, In, Ga and S, and the ratio of the number of Ga atoms to the total number of In atoms and Ga atoms is 0.95 or less. Moreover, the semiconductor nanoparticle has a light emission peak wavelength within a range between at least 500 nm and less than 590 nm, and emits light having a light emission peak half-width of 70 nm or less. The average particle size is 10 nm or less.
(FR) L’invention fournit des nanoparticules semi-conductrices qui présentent une luminescence en bord de bande, et qui possèdent une longueur d’onde de pic de luminescence courte. Ces nanoparticules semi-conductrices contiennent Ag, In, Ga et S, le rapport du nombre d’atomes de Ga par rapport au total du nombre d’atomes de In et Ga, étant inférieur ou égal à 0,95. Enfin, ces nanoparticules semi-conductrices possèdent une longueur d’onde de pic de luminescence dans une plage supérieure ou égale à 500nm et inférieure à 590nm, émettent une lumière de demi-largeur de pic de luminescence inférieure ou égale à 70nm, et présentent un diamètre particulaire moyen inférieur ou égal à 10nm.
(JA) バンド端発光を示し、短波長の発光ピーク波長を有する半導体ナノ粒子が提供される。半導体ナノ粒子は、Ag、In、GaおよびSを含み、InとGaの原子数の合計に対するGaの原子数の比が0.95以下である。また半導体ナノ粒子は、500nm以上590nm未満の範囲に発光ピーク波長を有し、発光ピークの半値幅が70nm以下である光を発し、平均粒径が10nm以下である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)