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1. (WO2018159396) 磁気抵抗効果デバイス
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国際公開番号: WO/2018/159396 国際出願番号: PCT/JP2018/006131
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 21.02.2018
IPC:
H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H03B 15/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
03
基本電子回路
B
振動の発生,直接のまたは周波数変換による振動の発生,スイッチング動作を行なわない能動素子を用いた回路による振動の発生;このような回路による雑音の発生
15
電流磁気効果装置,例.ホール効果装置,を用いた振動の発生,または超伝導効果を用いた振動の発生
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦三丁目9番1号 3-9-1, Shibaura, Minato-ku Tokyo 1080023, JP
発明者:
伊藤 邦恭 ITO Kuniyasu; JP
原 晋治 HARA Shinji; JP
代理人:
星宮 勝美 HOSHIMIYA Katsumi; JP
城澤 達哉 SHIROSAWA Tatsuya; JP
伊藤 進 ITOH Susumu; JP
優先権情報:
2017-04065003.03.2017JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE
(FR) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
(JA) 磁気抵抗効果デバイス
要約:
(EN) A magnetoresistance effect device 1 is provided with a magnetoresistance effect element 2, and an external magnetic field application section 3 that applies an external magnetic field to the magnetoresistance effect element 2. The magnetoresistance effect element 2 includes a first ferromagnetic layer 21, a second ferromagnetic layer 23, and a spacer layer 22. The external magnetic field application section 3 includes a magnetization holding section 35 and a magnetization setting section 30. The magnetization setting section 30 has a function of setting, with respect to the magnetization holding section 35, magnetization to be used for the purpose of generating the external magnetic field, said magnetization being set by applying a magnetization setting magnetic field to the magnetization holding section 35, then, stopping the application of the magnetization setting magnetic field. The magnetization holding section 35 has a function of holding the set magnetization after the application of the magnetization setting magnetic field is stopped.
(FR) L'invention concerne un dispositif à effet de magnétorésistance (1) qui comprend un élément à effet de magnétorésistance (2) et une section d'application de champ magnétique externe (3) qui applique un champ magnétique externe à l'élément à effet de magnétorésistance (2). L'élément à effet de magnétorésistance (2) comprend une première couche ferromagnétique (21), une seconde couche ferromagnétique (23) et une couche d'espacement (22). La section d'application de champ magnétique externe (3) comprend une section de maintien de magnétisation (35) et une section de définition de magnétisation (30). La section de définition de magnétisation (30) a une fonction de définition, par rapport à la section de maintien de magnétisation (35), d'une magnétisation à utiliser dans le but de générer le champ magnétique externe, ladite magnétisation étant définie par l'application d'un champ magnétique de définition de magnétisation à la section de maintien de magnétisation (35), puis l'arrêt de l'application du champ magnétique de définition de magnétisation. La section de maintien de magnétisation (35) a une fonction de maintien de la magnétisation définie après l'arrêt de l'application du champ magnétique de définition de magnétisation.
(JA) 磁気抵抗効果デバイス1は、磁気抵抗効果素子2と、磁気抵抗効果素子2に対して外部磁界を印加する外部磁界印加部3を備えている。磁気抵抗効果素子2は、第1の強磁性層21と第2の強磁性層23とスペーサ層22を含んでいる。外部磁界印加部3は、磁化保持部35と磁化設定部30を含んでいる。磁化設定部30は、磁化保持部35に対して磁化設定用磁界を印加した後、磁化設定用磁界の印加を停止することによって、外部磁界を生成するために用いられる磁化を磁化保持部35に設定する機能を有している。磁化保持部35は、設定された磁化を、磁化設定用磁界の印加停止後に保持する機能を有している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)