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1. (WO2018159392) 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/159392    International Application No.:    PCT/JP2018/006054
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Feb 21 00:59:59 CET 2018
IPC: G03F 1/24
C23C 14/14
G03F 1/26
Applicants: HOYA CORPORATION
HOYA株式会社
Inventors: IKEBE Yohei
池邊 洋平
SHOKI Tsutomu
笑喜 勉
ONOUE Takahiro
尾上 貴弘
KOZAKAI Hirofumi
小坂井 弘文
Title: 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
Abstract:
位相差及び反射率の膜厚依存性が小さい位相シフト膜を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。 前記位相シフト膜表面の反射率が3%超20%以下であって、所定の170度~190度の位相差を有するように、前記位相シフト膜は、2種以上の金属を有する合金からなる材料で構成されてなり、k>α*n+βの屈折率n、消衰係数kを満たす金属元素群を群A、k<α*n+βの屈折率n、消衰係数kを満たす金属元素群を群Bとし、前記合金は、前記群Aと前記群Bとからそれぞれ1種以上の金属元素を選択し、前記位相シフト膜の膜厚が設定膜厚に対して±0.5%変動したときの前記位相差の変化量が±2度の範囲であり、かつ反射率の変化量が±0.2%の範囲となるように、組成比が調整されていることを特徴とする反射型マスクブランク。(但し、α:比例定数、β:定数とする。)