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1. (WO2018159356) ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、パターン形成方法及びポリシロキサン
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国際公開番号: WO/2018/159356 国際出願番号: PCT/JP2018/005724
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 19.02.2018
IPC:
C09D 183/08 (2006.01) ,C08G 77/28 (2006.01) ,C09D 7/40 (2018.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01)
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
D
コーティング組成物,例.ペンキ,ワニスまたはラッカー;パテ;塗料除去剤インキ消し;インキ;修正液;木材用ステイン;糊状または固形の着色料または捺染料;これらの物質の使用法
183
主鎖のみに,いおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づくコーティング組成物;そのような重合体の誘導体に基づくコーティング組成物
04
ポリシロキサン
08
炭素,水素および酸素以外の原子を含む有機基に結合したけい素を含むもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77
高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
04
ポリシロキサン
22
炭素,水素および酸素以外の原子を含む有機基に結合したけい素を含むもの
28
いおう含有基
[IPC code unknown for C09D 7/40]
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
大坪 裕介 OOTSUBO Yuusuke; JP
栗田 俊輔 KURITA Shunsuke; JP
代理人:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報:
2017-03980102.03.2017JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR SILICON-CONTAINING-FILM FORMATION, SILICON-CONTAINING FILM, PATTERN FORMATION METHOD, AND POLYSILOXANE
(FR) COMPOSITION POUR FORMATION DE FILM CONTENANT DU SILICIUM, FILM CONTENANT DU SILICIUM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET POLYSILOXANE
(JA) ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、パターン形成方法及びポリシロキサン
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a composition for silicon-containing-film formation capable of forming a silicon-containing film which retains removability by etching with a fluorine-based gas and is excellent in terms of inhibition of the falling of resist pattern walls; the silicon-containing film; a pattern formation method; and a polysiloxane. The composition for silicon-containing-film formation comprises a polysiloxane having a group represented by formula (1) and a solvent. In formula (1), L is a single bond or a C1-20 (n+1)-valent organic group, E is a group represented by formula (2-1) or (2-2), Y1 is an (un)substituted C6-20 aryl group or a C1-20 monovalent aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom has been replaced with an electron-attracting group, and Y2 is an (un)substituted C6-20 arylenediyl group or a C1-20 divalent aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom has been replaced with an electron-attracting group.
(FR) La présente invention a pour objet de réaliser : une composition pour la formation de film contenant du silicium capable de former un film contenant du silicium qui conserve l'aptitude à l'enlèvement par gravure avec un gaz à base de fluor et qui est excellent en termes d'inhibition de la chute des parois de motif de réserve ; le film contenant du silicium ; un procédé de formation de motif ; et un polysiloxane. La composition pour la formation de film contenant du silicium comprend un polysiloxane ayant un groupe représenté par la formule (1) et un solvant. Dans la formule (1), L est une liaison simple ou un groupe organique en C1-20 (n+1)-valent, E est un groupe représenté par la formule (2-1) ou (2-2), Y1 est un groupe aryle (non) substitué en C6-20 ou un groupe hydrocarboné aliphatique monovalent en C1-20 dans lequel un atome d'hydrogène a été remplacé par un groupe attirant les électrons, et Y2 est un groupe arylénediyle (non) substitué en C6-20 ou un groupe hydrocarboné aliphatique divalent en C1-20 dans lequel un atome d'hydrogène a été remplacé par un groupe attirant les électrons.
(JA) フッ素系ガスによるエッチング除去性を維持しつつ、レジストパターンの倒壊抑制性に優れるケイ素含有膜を形成することができケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、パターン形成方法及びポリシロキサンの提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される基を有するポリシロキサンと、溶媒とを含有するケイ素含有膜形成用組成物である。下記式(1)中、Lは、単結合又は炭素数1~20の(n+1)価の有機基である。Eは式(2-1)又は(2-2)で表される基である。Yは置換若しくは非置換の炭素数6~20のアリール基又は水素原子が電子求引性基で置換された炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基である。Yは置換若しくは非置換の炭素数6~20のアレーンジイル基又は水素原子が電子求引性基で置換された炭素数1~20の2価の脂肪族炭化水素基である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)