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1. (WO2018159345) 撮像素子

Pub. No.:    WO/2018/159345    International Application No.:    PCT/JP2018/005652
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Feb 20 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 27/146
H01L 31/10
H04N 5/374
H04N 9/07
Applicants: SONY CORPORATION
ソニー株式会社
Inventors: MACHIDA Takashi
町田 貴志
YOSHITA Ryoto
吉田 遼人
Title: 撮像素子
Abstract:
本技術は、感度の低下を抑制しつつ、PLSを低減することができるようにする撮像素子に関する。 撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成されている光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を蓄積する第1の電荷蓄積部と、前記半導体基板の光の入射面と反対側の反対面に形成され、前記光電変換部から前記第1の電荷蓄積部への電荷の転送に用いられる第1の転送ゲート部とを画素内に備え、前記第1の転送ゲート部は、前記半導体基板の反対面から前記半導体基板内に形成されている第1のトレンチに埋め込まれている第1の電極を備え、前記光電変換部は、前記第1の電極と、前記第1の電極の周囲の少なくとも一部を囲む第2の電極とを備える。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。