このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018159189) 基板支持ユニット、および基板支持ユニットを有する成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/159189 国際出願番号: PCT/JP2018/002914
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 30.01.2018
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
出願人:
日本発條株式会社 NHK SPRING CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市金沢区福浦3-10 3-10, Fukuura, Kanazawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2360004, JP
発明者:
▲高▼原 剛 TAKAHARA Go; JP
花待 年彦 HANAMACHI Toshihiko; JP
巽 新 TATSUMI Arata; JP
代理人:
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.; 東京都大田区蒲田5-24-2 損保ジャパン日本興亜蒲田ビル9階 Sonpo Japan Nipponkoa Kamata Building 9F, 5-24-2Kamata, Ota-ku, Tokyo 1440052, JP
優先権情報:
2017-03660828.02.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND FILM FORMING DEVICE HAVING SUBSTRATE SUPPORTING UNIT
(FR) UNITÉ DE SUPPORT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM AYANT UNE UNITÉ DE SUPPORT DE SUBSTRAT
(JA) 基板支持ユニット、および基板支持ユニットを有する成膜装置
要約:
(EN) Provided is a substrate supporting unit. This substrate supporting unit has a shaft, a first heater, and a stage. The first heater is located inside the shaft, and is configured to heat an upper portion of the shaft. The stage is located on the shaft, and has a first plate, a second plate on the first plate, and a second heater between the first plate and the second plate.
(FR) L'invention concerne une unité de support de substrat. Cette unité de support de substrat comprend un arbre, un premier élément chauffant et un étage. Le premier élément chauffant est situé à l'intérieur de l'arbre, et est conçu pour chauffer une partie supérieure de l'arbre. L'étage est situé sur l'arbre, et comporte une première plaque, une seconde plaque sur la première plaque, et un second élément chauffant entre la première plaque et la seconde plaque.
(JA) 基板支持ユニットが提供される。基板支持ユニットは、シャフト、第1のヒータ、およびステージを有する。第1のヒータはシャフト内に位置し、シャフトの上部を加熱するように構成される。ステージはシャフト上に位置しており、第1のプレートと、第1のプレート上の第2のプレートと、第1のプレートと第2のプレート間の第2のヒータを有する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)