このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018159129) 磁気抵抗効果素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/159129 国際出願番号: PCT/JP2018/001187
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 17.01.2018
IPC:
H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦三丁目9番1号 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
発明者:
犬伏 和海 INUBUSHI Kazuumi; JP
中田 勝之 NAKADA Katsuyuki; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
優先権情報:
2017-04052603.03.2017JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
(JA) 磁気抵抗効果素子
要約:
(EN) This magnetoresistance effect element is provided with: a first ferromagnetic layer which serves as a fixed magnetization layer; a second ferromagnetic layer which serves as a free magnetization layer; and a non-magnetic spacer layer provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. The non-magnetic spacer layer includes an Ag alloy represented by general formula (1), namely AgγX1-γ, wherein X represents one element selected from the group consisting of Al, Cu, Ga, Ge, As, Y, La, Sm, Yb, and Pt, and γ satisfies the expression 0<γ<1. As a result, the lattice mismatch between the non-magnetic spacer layer and the first ferromagnetic layer and/or the second ferromagnetic layer is smaller than the lattice mismatch when the non-magnetic spacer layer comprises Ag.
(FR) L'invention concerne un élément à effet de magnétorésistance comprenant : une première couche ferromagnétique qui sert de couche de magnétisation fixe; une seconde couche ferromagnétique qui sert de couche de magnétisation libre; et une couche d'espacement non magnétique disposée entre la première couche ferromagnétique et la seconde couche ferromagnétique. La couche d'espacement non magnétique comprend un alliage d'Ag représenté par la formule générale (1), à savoir AgγX1-γ, X représentant un élément choisi dans le groupe constitué par Al, Cu, Ga, Ge, As, Y, La, Sm, Yb, et Pt, et γ satisfaisant l'expression 0<γ<1. Par conséquent, le désaccord de réseau entre la couche d'espacement non magnétique et la première couche ferromagnétique et/ou la seconde couche ferromagnétique est plus petit que le désaccord de réseau lorsque la couche d'espacement non magnétique comprend Ag.
(JA) 磁気抵抗効果素子は、磁化固定層としての第一の強磁性層と、磁化自由層としての第二の強磁性層と、第一の強磁性層と第二の強磁性層との間に設けられた非磁性スペーサ層と、を備え、非磁性スペーサ層は、一般式(1)で表わされるAg合金を含み、それにより非磁性スペーサ層と、第一の強磁性層及び/又は第二の強磁性層との間の格子不整合は、非磁性スペーサ層がAgからなるときの格子不整合に比べて小さくなる。 Agγ1-γ …(1) 式中、Xは、Al、Cu、Ga、Ge、As、Y、La、Sm、Yb、及びPtからなる群より選択される一の元素を表し、γは、0<γ<1である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)