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1. WO2018159109 - シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶育成装置

公開番号 WO/2018/159109
公開日 07.09.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/000518
国際出願日 11.01.2018
IPC
C30B 29/06 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
06シリコン
C30B 15/04 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
02融液に結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの
04ドープ物質を加えるもの,例.PN接合用
CPC
C30B 15/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
02adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
04adding doping materials, e.g. for n-p-junction
C30B 15/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
10Crucibles or containers for supporting the melt
C30B 15/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 杉村 渉 SUGIMURA Wataru
  • 宝来 正隆 HOURAI Masataka
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
優先権情報
2017-03761328.02.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT AND SILICON SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM ET APPAREIL DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶育成装置
要約
(EN) Provided are: a method for manufacturing an n-type high-resistance silicon single crystal ingot which is suitable for use as a power device and has a small tolerance of resistivity in the crystal growth direction; and a silicon single crystal growing apparatus. The present invention pertains to a method for manufacturing a silicon single crystal ingot, in which Sb or As is used as an n-type dopant, by means of a silicon single crystal growing apparatus using the Czochralski process, the method comprising: a measuring step for measuring the gas concentration of a compound gas containing the n-type dopant as a constituent element while pulling up a silicon single crystal ingot 1; and a pull-up condition value adjustment step for adjusting pull-up condition values such that the measured gas concentration falls within the range of a target gas concentration, the pull-up condition values including at least one of the pressure in a chamber 30, the flow rate of Ar gas, and the gap G between a guiding portion 70 and a silicon melt 10.
(FR) L'invention concerne : un procédé de fabrication d'un lingot monocristallin de silicium haute résistance de type n qui est approprié pour une utilisation en tant que dispositif d'alimentation et qui présente une faible tolérance de résistivité dans la direction de croissance cristalline ; et un appareil de croissance de monocristal de silicium. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot monocristallin de silicium, dans lequel du Sb ou de l'As est utilisé comme dopant de type n, au moyen d'un appareil de croissance de monocristal de silicium utilisant le procédé Czochralski, le procédé comprenant : une étape de mesure servant à mesurer la concentration en gaz d'un gaz composé contenant le dopant de type n en tant qu'élément constitutif tout en tirant vers le haut un lingot monocristallin de silicium (1) ; et une étape de réglage de la valeur de la condition de tirage vers le haut pour ajuster des valeurs de condition de tirage vers le haut de telle sorte que la concentration en gaz mesurée tombe dans la plage d'une concentration cible en gaz, les valeurs de condition de tirage vers le haut comprenant au moins l'un parmi la pression dans une chambre (30), le débit de gaz Ar, et l'espace G entre une partie de guidage (70) et une masse fondue de silicium (10).
(JA) パワーデバイスに供して好適な、結晶成長方向における比抵抗の公差の小さいn型で高抵抗のシリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶育成装置を提供する。 チョクラルスキー法を用いるシリコン単結晶育成装置によりSbまたはAsをn型ドーパントとするシリコン単結晶インゴットの製造方法において、シリコン単結晶インゴット1の引き上げを行いながら、前記n型ドーパントを構成元素に含む化合物ガスのガス濃度を測定する測定工程と、前記測定したガス濃度が目標ガス濃度の範囲内に入るようにチャンバ30内の圧力、Arガスの流量、ならびに誘導部70およびシリコン融液10の間隔Gの少なくともいずれか1つを含む引き上げ条件値を調整する引き上げ条件値調整工程とを行う。
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