(EN) Provided are: a method for manufacturing an n-type high-resistance silicon single crystal ingot which is suitable for use as a power device and has a small tolerance of resistivity in the crystal growth direction; and a silicon single crystal growing apparatus. The present invention pertains to a method for manufacturing a silicon single crystal ingot, in which Sb or As is used as an n-type dopant, by means of a silicon single crystal growing apparatus using the Czochralski process, the method comprising: a measuring step for measuring the gas concentration of a compound gas containing the n-type dopant as a constituent element while pulling up a silicon single crystal ingot 1; and a pull-up condition value adjustment step for adjusting pull-up condition values such that the measured gas concentration falls within the range of a target gas concentration, the pull-up condition values including at least one of the pressure in a chamber 30, the flow rate of Ar gas, and the gap G between a guiding portion 70 and a silicon melt 10.
(FR) L'invention concerne : un procédé de fabrication d'un lingot monocristallin de silicium haute résistance de type n qui est approprié pour une utilisation en tant que dispositif d'alimentation et qui présente une faible tolérance de résistivité dans la direction de croissance cristalline ; et un appareil de croissance de monocristal de silicium. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot monocristallin de silicium, dans lequel du Sb ou de l'As est utilisé comme dopant de type n, au moyen d'un appareil de croissance de monocristal de silicium utilisant le procédé Czochralski, le procédé comprenant : une étape de mesure servant à mesurer la concentration en gaz d'un gaz composé contenant le dopant de type n en tant qu'élément constitutif tout en tirant vers le haut un lingot monocristallin de silicium (1) ; et une étape de réglage de la valeur de la condition de tirage vers le haut pour ajuster des valeurs de condition de tirage vers le haut de telle sorte que la concentration en gaz mesurée tombe dans la plage d'une concentration cible en gaz, les valeurs de condition de tirage vers le haut comprenant au moins l'un parmi la pression dans une chambre (30), le débit de gaz Ar, et l'espace G entre une partie de guidage (70) et une masse fondue de silicium (10).
(JA) パワーデバイスに供して好適な、結晶成長方向における比抵抗の公差の小さいｎ型で高抵抗のシリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶育成装置を提供する。 チョクラルスキー法を用いるシリコン単結晶育成装置によりＳｂまたはＡｓをｎ型ドーパントとするシリコン単結晶インゴットの製造方法において、シリコン単結晶インゴット１の引き上げを行いながら、前記ｎ型ドーパントを構成元素に含む化合物ガスのガス濃度を測定する測定工程と、前記測定したガス濃度が目標ガス濃度の範囲内に入るようにチャンバ３０内の圧力、Ａｒガスの流量、ならびに誘導部７０およびシリコン融液１０の間隔Ｇの少なくともいずれか１つを含む引き上げ条件値を調整する引き上げ条件値調整工程とを行う。
