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1. (WO2018159108) シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶インゴット
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国際公開番号: WO/2018/159108 国際出願番号: PCT/JP2018/000514
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 11.01.2018
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/00 (2006.01) ,C30B 15/20 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15
融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15
融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
20
制御または調整(制御または調整一般G05)
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
発明者:
宝来 正隆 HOURAI Masataka; JP
杉村 渉 SUGIMURA Wataru; JP
小野 敏昭 ONO Toshiaki; JP
藤原 俊幸 FUJIWARA Toshiyuki; JP
代理人:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
優先権情報:
2017-03761828.02.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE-CRYSTAL INGOT, AND SILICON SINGLE-CRYSTAL INGOT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM ET LINGOT MONOCRISTALLIN DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶インゴット
要約:
(EN) Provided is a method for manufacturing an n-type high-resistance silicon single-crystal ingot that is suitable for use in a power device and that has a small tolerance in resistivity in the crystal growth direction. A method for manufacturing a silicon single-crystal ingot using Sb or As as an n-type dopant, wherein a pulling condition value including at least any one of the pressure in a chamber 30, the flow rate of Ar gas, and the interval G between a guide part 70 and a silicon melt 10 is adjusted while a silicon single crystal ingot 1 is pulled, whereby the evaporation amount per unit solidification rate when the n-type dopant is evaporated from the silicon melt 10 is maintained within the range of a target evaporation amount per unit solidification rate.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot monocristallin de silicium haute résistance de type n qui est approprié pour une utilisation dans un dispositif électrique et qui présente une faible tolérance en résistivité dans la direction de croissance cristalline. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un lingot monocristallin de silicium utilisant du Sb ou de l'As en tant que dopant de type n, une valeur de condition de tirage comprenant au moins l'une quelconque de la pression dans une chambre (30), le débit de gaz Ar, et l'intervalle G entre une partie de guidage (70) et une masse fondue (10) de silicium, est ajustée tandis qu'un lingot (1) de silicium monocristallin est tiré, la quantité d'évaporation par unité de vitesse de solidification lorsque le dopant de type n est évaporé de la masse fondue (10) de silicium étant maintenue dans la plage d'une quantité d'évaporation cible par taux de solidification unitaire.
(JA) パワーデバイスに供して好適な、結晶成長方向における抵抗率の公差の小さいn型で高抵抗のシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。 SbまたはAsをn型ドーパントとするシリコン単結晶インゴットの製造方法において、シリコン単結晶インゴット1の引き上げを行いながら、チャンバ30内の圧力、Arガスの流量、ならびに誘導部70およびシリコン融液10の間隔Gの少なくともいずれか1つを含む引き上げ条件値を調整することで、シリコン融液10からn型ドーパントが蒸発するときの単位固化率当たりの蒸発量が単位固化率当たりの目標蒸発量の範囲内に維持する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)