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1. (WO2018159057) 磁気記憶素子、磁気記憶装置、電子機器、および磁気記憶素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/159057 国際出願番号: PCT/JP2017/044209
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 08.12.2017
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者: UCHIDA, Hiroyuki; JP
HOSOMI, Masanori; JP
OHMORI, Hiroyuki; JP
BESSHO, Kazuhiro; JP
HIGO, Yutaka; JP
SATO, Yo; JP
HASE, Naoki; JP
代理人: KAMEYA, Yoshiaki; JP
KANEMOTO, Tetsuo; JP
HAGIWARA, Yasushi; JP
MATSUMOTO, Kazunori; JP
優先権情報:
2017-03819801.03.2017JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC STORAGE ELEMENT, MAGNETIC STORAGE DEVICE, ELECTRONIC APPLIANCE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC STORAGE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE, DISPOSITIF DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE, APPAREIL ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気記憶素子、磁気記憶装置、電子機器、および磁気記憶素子の製造方法
要約:
(EN) Provided are a magnetic storage element, a magnetic storage device, and an electronic appliance. The magnetic storage element stores multi-value information and comprises: a plurality of tunnel junction elements (20, 30) that are electrically connected in parallel with each other and respectively include reference layers (23, 33) in which the magnetization direction is fixed, storage layers (25, 35) in which the magnetization direction can be reversed, and insulator layers (24, 34) that are sandwiched between the reference layers and the storage layers. The plurality of tunnel junction elements have the same film configurations. The individual layers of the film configurations are formed of the same materials and have the same thicknesses. The cross-section shape of each of the plurality of tunnel junction elements when the tunnel junction elements are cut in a stacking direction is a polygonal shape having an upper side and a lower side that are parallel to each other. The ratios of the lower sides to the upper sides (W1B/W1T, W2B/W2T) are different in the plurality of tunnel junction elements.
(FR) L'invention concerne un élément de stockage magnétique, un dispositif de stockage magnétique et un appareil électronique. L'élément de stockage magnétique stocke des informations à multiples valeurs et comprend : une pluralité d'éléments de jonction tunnel (20, 30) qui sont électriquement connectés en parallèle les uns aux autres et comprennent respectivement des couches de référence (23, 33) dans lesquelles la direction de magnétisation est fixe, des couches de stockage (25, 35) dans lesquelles la direction de magnétisation peut être inversée, et des couches d'isolation (24, 34) qui sont prises en sandwich entre les couches de référence et les couches de stockage. La pluralité d'éléments de jonction tunnel ont les mêmes configurations de film. Les couches individuelles des configurations de film sont formées des mêmes matériaux et ont les mêmes épaisseurs. La forme de section transversale de chaque élément de la pluralité d'éléments de jonction tunnel lorsque les éléments de jonction tunnel sont coupés dans une direction d'empilement est une forme polygonale ayant un côté supérieur et un côté inférieur qui sont parallèles l'un à l'autre. Les rapports des côtés inférieurs aux côtés supérieurs (W1B/W1T, W2B/W2T) sont différents dans la pluralité d'éléments de jonction tunnel.
(JA) 磁化方向が固定された参照層(23,33),磁化方向が反転可能な記憶層(25,35),および前記参照層と前記記憶層との間に挟持された絶縁体層(24,34)をそれぞれ含み,互いに電気的に並列接続された複数のトンネル接合素子(20,30)を備え,前記複数のトンネル接合素子は,互いに同一の膜構成を有し,前記膜構成の各層は,互いに同一の材料および膜厚で形成され,前記複数のトンネル接合素子を積層方向に切断した断面形状の各々は,互いに平行な上辺および下辺を含む多角形状であり,前記上辺に対する前記下辺の比(W1B/W1T,W2B/W2T)は,前記複数のトンネル接合素子ごとに互いに異なる,多値情報を記憶する磁気記憶素子,磁気記憶装置,および電子機器を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)