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1. (WO2018159015) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
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国際公開番号: WO/2018/159015 国際出願番号: PCT/JP2017/038987
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 27.10.2017
IPC:
H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦三丁目9番1号 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
発明者:
塩川 陽平 SHIOKAWA Yohei; JP
大田 実 OTA Minoru; JP
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
田中 美知 TANAKA Yoshitomo; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
優先権情報:
2017-03724528.02.2017JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
要約:
(EN) This magnetoresistance effect element is provided with: a magnetization fixed layer; a magnetization free layer; and a nonmagnetic spacer layer laminated between the magnetization fixed layer and the magnetization free layer, wherein the magnetization fixed layer has a first fixed layer and a second fixed layer which are made of a ferromagnetic material, and a magnetic coupling layer laminated between the first fixed layer and the second fixed layer. The first fixed layer and the second fixed layer are magnetically coupled such that the magnetization directions of the first fixed layer and the second fixed layer are antiparallel to each other by exchange-coupling via the magnetic coupling layer, and the magnetic coupling layer is a nonmagnetic layer which includes Ir and at least one of the following elements that are Cr, Mn, Fe, Co, and Ni.
(FR) L'invention concerne un élément à effet de magnétorésistance qui est pourvu de : une couche fixe de magnétisation ; une couche libre de magnétisation ; et une couche d'espacement amagnétique stratifiée entre la couche fixe de magnétisation et la couche libre de magnétisation, la couche fixe de magnétisation ayant une première couche fixe et une seconde couche fixe qui sont constituées d'un matériau ferromagnétique, et une couche de couplage magnétique stratifiée entre la première couche fixe et la seconde couche fixe. La première couche fixe et la seconde couche fixe sont couplées magnétiquement de telle sorte que les directions de magnétisation de la première couche fixe et de la seconde couche fixe soient antiparallèles l'une à l'autre par couplage d'échange par l'intermédiaire de la couche de couplage magnétique, et la couche de couplage magnétique est une couche amagnétique qui comprend Ir et au moins l'un des éléments suivants qui sont Cr, Mn, Fe, Co et Ni.
(JA) 磁気抵抗効果素子は、磁化固定層と、磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に積層された非磁性スペーサ層と、を備え、磁化固定層は、強磁性材料からなる第1固定層及び第2固定層と、第1固定層と第2固定層との間に積層された磁気結合層と、を有し、第1固定層と第2固定層とは、磁気結合層と介した交換結合によって、第1固定層と第2固定層の磁化方向が互いに反平行になるように磁気的に結合しており、磁気結合層は、Irと、以下の元素、即ちCr、Mn、Fe、Co、及びNiの少なくとも一つと、を含む非磁性層である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)