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1. (WO2018158934) 半導体レーザ及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/158934    International Application No.:    PCT/JP2017/008495
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Mar 04 00:59:59 CET 2017
IPC: H01S 5/042
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: KUSUNOKI, Masatsugu
楠 政諭
MIYASHITA, Motoharu
宮下 宗治
Title: 半導体レーザ及びその製造方法
Abstract:
半導体積層構造(8)は対向する共振器端面を有する。電極(10)が半導体積層構造8)の上に形成されている。金メッキ層(11)が電極(10)の上に形成されている。半導体積層構造(8)は、共振器端面(14)の間に形成された発光ストライプ領域(18)と、発光ストライプ領域(18)の両脇に形成された非発光領域(19)とを有する。電極(10)は、発光ストライプ領域(18)及び非発光領域(19)に跨って形成され、発光ストライプ領域(18)では共振器端面(14)の付近で除去され、非発光領域19)では共振器端面(14)まで形成されている。