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1. (WO2018158840) アクティブマトリクス基板の製造方法および有機EL表示装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/158840    International Application No.:    PCT/JP2017/007891
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 01 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 29/786
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: SAITOH, Takao
斉藤 貴翁
KANZAKI, Yohsuke
神崎 庸輔
MIWA, Masahiko
三輪 昌彦
YAMANAKA, Masaki
山中 雅貴
KANEKO, Seiji
金子 誠二
Title: アクティブマトリクス基板の製造方法および有機EL表示装置の製造方法
Abstract:
ゲート電極形成工程において、島状の半導体層16を覆うゲート絶縁膜(17)上にTFT(7)のゲート電極(18)となる金属膜を成膜し、当該金属膜をドライエッチングによりゲート電極(18)を形成し、露出するゲート電極(18)に対し酸素または窒素を用いたプラズマ処理を施す。これにより、生産効率の低下を抑制しつつ針状結晶または粒状結晶が形成されることを防止する。