このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018158807) 半導体装置、および、電力変換システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/158807 国際出願番号: PCT/JP2017/007708
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 28.02.2017
IPC:
H03K 17/08 (2006.01) ,H03K 17/567 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
08
過電流または過電圧に対するスイッチ回路の保護のための変形
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51
特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56
能動素子として半導体装置を用いるもの
567
二以上の形式の半導体装置の使用に特徴づけられた回路,例.BIMOS,IGBTのような複合装置
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
吉田 健太郎 YOSHIDA Kentaro; JP
日山 一明 HIYAMA Kazuaki; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION SYSTEM
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTÈME DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置、および、電力変換システム
要約:
(EN) The present invention suppresses erroneous operation of an overcurrent protection circuit caused by the rise of a sense voltage during a mirror period immediately after turning-off of a semiconductor switching element. This semiconductor device is provided with: a semiconductor switching element 12; a sense resistor 16; an overcurrent protection circuit 104 that outputs a control signal for controlling on-driving and off-driving of the semiconductor switching element 12 on the basis of whether the sense voltage exceeds a threshold value; and a diode 36 that clamps the sense voltage. The overcurrent protection circuit 104 outputs, as the control signal, a signal for off-driving the semiconductor switching element 12 when the sense voltage exceeds the threshold value.
(FR) La présente invention supprime le fonctionnement erroné d'un circuit de protection contre les surintensités provoqué par l'augmentation d'une tension de détection pendant une période de miroir immédiatement après l'arrêt d'un élément de commutation à semi-conducteur. Ce dispositif à semi-conducteur est pourvu de : un élément de commutation à semi-conducteur 12 ; une résistance de détection 16 ; un circuit de protection contre les surintensités 104 qui délivre en sortie un signal de commande pour commander la mise en marche et l'arrêt de l'élément de commutation à semi-conducteur 12 selon que la tension de détection dépasse ou non une valeur seuil ; et une diode 36 qui cale la tension de détection. Le circuit de protection contre les surintensités 104 délivre en sortie, en tant que signal de commande, un signal pour éteindre l'élément de commutation à semi-conducteur 12 lorsque la tension de détection dépasse la valeur seuil.
(JA) 半導体スイッチング素子のターンオフ直後のミラー期間におけるセンス電圧の上昇によって生じる、過電流保護回路の誤動作を抑制する。半導体装置は、半導体スイッチング素子12と、センス抵抗16と、センス電圧がしきい値を超えるか否かに基づいて、半導体スイッチング素子12のオン駆動およびオフ駆動を制御する制御信号を出力する過電流保護回路104と、センス電圧をクランプするダイオード36とを備える。過電流保護回路104は、センス電圧がしきい値を超える場合、半導体スイッチング素子12をオフ駆動させる信号を制御信号として出力する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)