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1. (WO2018158124) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
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国際公開番号: WO/2018/158124 国際出願番号: PCT/EP2018/054283
国際公開日: 07.09.2018 国際出願日: 21.02.2018
IPC:
H01L 33/50 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48
半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
50
波長変換要素
出願人:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
発明者:
FRISCHEISEN, Jörg; DE
EBERHARDT, Angela; DE
PESKOLLER, Florian; DE
HUCKENBECK, Thomas; DE
SCHMIDBERGER, Michael; DE
BAUER, Jürgen; DE
代理人:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
優先権情報:
10 2017 104 133.828.02.2017DE
発明の名称: (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
要約:
(DE) Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einer Glasmatrix (221) eingebettet ist, wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von 50 bis 80 Vol.-% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von der Glasmatrix (221) und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient, wobei die erste Schicht (22) eine Schichtdicke von kleiner als 200 μm aufweist.
(EN) The invention relates to an optoelectronic component (100) comprising a semiconductor layer sequence (1) with an active region that emits radiation at least over a main radiation emission surface (11) during operation, a self-supporting conversion element (2) arranged in the beam path of the semiconductor layer sequence (1), the self-supporting conversion element (2) comprising a substrate (21) and a first layer (22), the first layer (22) comprising at least one conversion material (222) embedded in a glass matrix (221) that represents between 50 and 80 vol.% of the first layer (22), the substrate (21) being free of the glass matrix (221) and the conversion material (222) and being used to mechanically stabilise the first layer (22), and the thickness of the first layer (22) being less than 200 μm.
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique (100) comprenant une succession de couches semi-conductrices (1) présentant une zone active qui émet un rayonnement au moins par l'intermédiaire d'une surface de sortie de rayonnement principale (11) lorsqu'elle est en fonctionnement, un élément de conversion autoportant (2) qui est placé dans le trajet optique de la succession de couches semi-conductrices (1), l'élément de conversion autoportant (2) comprenant un substrat (21) et une première couche (22), la première couche (22) comprenant au moins un matériau de conversion (222) qui est incorporé dans une matrice vitreuse (221), la proportion de la matrice vitreuse (221) dans la première couche (22) étant comprise entre 50 et 80 % en volume, le substrat (21) étant exempt de la matrice vitreuse (221) et du matériau de conversion (222) et servant à la stabilisation mécanique de la première couche (22), la première couche (22) présentant une épaisseur inférieure à 200 μm.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: ドイツ語 (DE)
国際出願言語: ドイツ語 (DE)