Mobile |
Deutsch |
English |
Español |
Français |
한국어 |
Português |
Русский |
中文 |
العربية |
PATENTSCOPE
国際・国内特許データベース検索
オプション
検索
結果表示
操作画面
官庁
翻訳
検索言語
【全言語】
アラビア語
イタリア語
インドネシア語
エストニア語
スウェーデン語
スペイン語
タイ語
デンマーク語
ドイツ語
フランス語
ブルガリア語
ヘブライ語
ベトナム語
ポルトガル語
ポーランド語
ラオス人
ルーマニア語
ロシア語
中国語
日本語
英語
韓国語
語幹処理適用
並び替え:
関連性
公開日 (新しい順)
公開日 (古い順)
出願日 (新しい順)
出願日 (古い順)
表示件数
10
50
100
200
表示言語
検索言語
英語
スペイン語
韓国語
ベトナム語
ヘブライ語
ポルトガル語
フランス語
ドイツ語
日本語
ロシア語
中国語
イタリア語
ポーランド語
デンマーク語
スウェーデン語
アラビア語
エストニア語
インドネシア語
タイ語
ブルガリア語
ラオス人
ルーマニア語
表示フィールド
出願番号
公開日
要約
出願人氏名 (名称)
国際特許分類
図
発明者氏名 (名称)
表・グラフ
表
グラフ
表示グループ (分析)
*
なし
Offices of NPEs
IPC
出願人
発明者
出願日
公開日
国名
グループ毎表示件数 (分析)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
Download Fields
NPEs
デフォルト検索方法
簡易検索
詳細検索
構造化検索
PCT 出願 (公開週別)
多言語検索 (CLIR)
翻訳
簡易検索
詳細検索
構造化検索
PCT 出願 (公開週別)
多言語検索 (CLIR)
翻訳
デフォルト検索フィールド
Front Page
Any Field
Full Text
ID/Numbers
IPC
Names
Dates
Front Page
Any Field
Full Text
ID/Numbers
IPC
Names
Dates
画面表示言語
English
Deutsch
Français
Español
日本語
中文
한국어
Português
Русский
English
Deutsch
Français
Español
日本語
中文
한국어
Português
Русский
複数画面モード
ツールチップ ヘルプ 有効化
IPC ツールチップ ヘルプ
Instant Help
Expanded Query
官庁:
全て
全て
PCT
アフリカ
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO)
エジプト
ケニア
モロッコ
チュニジア
南アフリカ
南北アメリカ
アメリカ合衆国
カナダ
LATIPAT
アルゼンチン
ブラジル
チリ
コロンビア
コスタリカ
キューバ
ドミニカ共和国
エクアドル
エルサルバドル
グアテマラ
ホンジュラス
メキシコ
ニカラグア
パナマ
ペルー
ウルグアイ
アジア ヨーロッパ
オーストラリア
バーレーン
中華人民共和国
デンマーク
エストニア
ユーラシア特許庁(EAPO)
欧州特許庁(EPO)
フランス
ドイツ
ドイツ (DDR data)
イスラエル
日本
ヨルダン
ポルトガル
ロシア
ロシア (USSR data)
サウジアラビア
アラブ首長国連邦
スペイン
韓国
インド
イギリス
ジョージア
ブルガリア
イタリア
ルーマニア
ラオス人民民主共和国
Asean
シンガポール
ベトナム
インドネシア
カンボジア
マレーシア
ブルネイ・ダルサラーム
フィリピン
タイ
WIPO translate (Wipo internal translation tool)
検索
簡易検索
詳細検索
構造化検索
多言語検索 (CLIR)
化学化合物 (ログインが必要です)
閲覧
PCT 出願 (公開週別)
ガゼットアーカイブ
国内フェーズエントリーダウンロード
完全ダウンロード
インクリメンタルダウンロード(過去7日間)
配列表 (公開週別)
IPC Green Inventory
各国特許登録簿
翻訳
WIPO 翻訳
WIPO Pearl
最新情報
PATENTSCOPE 最新情報
ログイン
ui-button
ログイン
PATENTSCOPE アカウント登録
オプション
オプション
ヘルプ
ui-button
検索方法
PATENTSCOPE ユーザ ガイド
多言語検索 (CLIR) ユーザ ガイド
User Guide: ChemSearch
検索構文
フィールド定義
国コード
データ収録範囲
PCT 出願
PCT 国内段階移行
国内特許コレクション
Global Dossier 公開データ
FAQ
フィードバック & お問い合わせ
INID コード
公報種別
チュートリアル
このサービスについて
概要
利用規約
免責事項
ホーム
IP サービス
PATENTSCOPE
自動翻訳
Wipo Translate
アラビア語
ドイツ語
英語
スペイン語
フランス語
日本語
韓国語
ポルトガル語
ロシア語
中国語
Google Translate
Bing/Microsoft Translate
Baidu Translate
アラビア語
英語
フランス語
ドイツ語
スペイン語
ポルトガル語
ロシア語
韓国語
日本語
中国語
...
Italian
Thai
Cantonese
Classical Chinese
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせください
フィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018155711) トレンチMOS型ショットキーダイオード
PCT 書誌情報
フルテキスト
図面
国内段階
更新情報
書類
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
第三者情報を提供
パーマリンク
パーマリンク
ブックマーク
国際公開番号:
WO/2018/155711
国際出願番号:
PCT/JP2018/007274
国際公開日:
30.08.2018
国際出願日:
27.02.2018
IPC:
H01L 29/872
(2006.01) ,
H01L 29/06
(2006.01) ,
H01L 29/20
(2006.01) ,
H01L 29/47
(2006.01)
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
872
ショットキーダイオード
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
20
ドーピング材料または他の不純物は別にして,A↓I↓I↓IB↓V化合物のみを含むもの
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
43
構成材料に特徴のあるもの
47
ショットキー障壁電極
出願人:
株式会社タムラ製作所 TAMURA CORPORATION
[JP/JP]; 東京都練馬区東大泉1丁目19番43号 1-19-43, Higashi-Oizumi, Nerima-ku, Tokyo 1788511, JP
国立研究開発法人情報通信研究機構 NATIONAL INSTITUTE OF INFORMATION AND COMMUNICATIONS TECHNOLOGY
[JP/JP]; 東京都小金井市貫井北町4-2-1 4-2-1, Nukui-Kitamachi, Koganei-shi, Tokyo 1848795, JP
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー NOVEL CRYSTAL TECHNOLOGY, INC.
[JP/JP]; 埼玉県狭山市広瀬台二丁目3番1号 2-3-1, Hirosedai, Sayama-shi, Saitama 3501328, JP
発明者:
佐々木 公平 SASAKI, Kohei
; JP
東脇 正高 HIGASHIWAKI, Masataka
; JP
代理人:
特許業務法人平田国際特許事務所 HIRATA & PARTNERS
; 東京都千代田区二番町4番地3 二番町カシュービル6階 6th Floor, Niban-cho Cashew Building, 4-3, Niban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084, JP
優先権情報:
2017-034835
27.02.2017
JP
発明の名称:
(EN)
TRENCH MOS SCHOTTKY DIODE
(FR)
DIODE SCHOTTKY MOS À TRANCHÉE
(JA)
トレンチMOS型ショットキーダイオード
要約:
(EN)
One embodiment of the present invention provides a trench MOS Schottky diode 1 which is provided with: a first semiconductor layer 10 which is formed from a Ga
2
O
3
single crystal; a second semiconductor layer 11 which is laminated on the first semiconductor layer 10 and has a trench 12 that opens to a surface 17, while being formed from a Ga
2
O
3
single crystal; an anode electrode 13 which is formed on the surface 17; a cathode electrode 14 which is formed on a surface of the first semiconductor layer 10, said surface being on the reverse side of the second semiconductor layer 11-side surface; an insulating film 15 which covers the inner surface of the trench 12 of the second semiconductor layer 11; and a trench MOS gate 16 which is buried within the trench 12 of the second semiconductor layer 11 so as to be covered by the insulating film 15, while being in contact with the anode electrode 13. The second semiconductor layer 11 is configured from: a lower layer 11b which is on the first semiconductor layer side; and an upper layer 11a which is on the anode electrode 13 side, while having a higher donor concentration than the lower layer 11b.
(FR)
La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, une diode Schottky MOS à tranchée (1) qui comporte : une première couche à semi-conducteurs (10) qui est formée à partir d'un monocristal de Ga
2
O
3
; une seconde couche à semi-conducteurs (11) qui est stratifiée sur la première couche à semi-conducteurs (10) et a une tranchée (12) qui s'ouvre sur une surface (17), tout en étant formée à partir d'un monocristal de Ga
2
O
3
; une électrode d'anode (13) qui est formée sur la surface (17); une électrode de cathode (14) qui est formée sur une surface de la première couche à semi-conducteurs (10), ladite surface étant sur le côté opposé de la surface du côté seconde couche à semi-conducteurs (11); un film isolant (15) qui recouvre la surface interne de la tranchée (12) de la seconde couche à semi-conducteurs (11); et une grille MOS à tranchée (16) qui est enterrée à l'intérieur de la tranchée (12) de la seconde couche à semi-conducteurs (11) de manière à être recouverte par le film isolant (15), tout en étant en contact avec l'électrode d'anode (13). La seconde couche à semi-conducteurs (11) est conçue à partir : d'une couche inférieure (11b) qui se trouve sur le côté première couche à semi-conducteurs; et d'une couche supérieure (11a) qui se trouve sur le côté électrode d'anode (13), tout en ayant une concentration en donneurs supérieure à celle de la couche inférieure (11b).
(JA)
一実施の形態として、Ga
2
O
3
系単結晶からなる第1の半導体層10と、第1の半導体層10に積層される層であって、面17に開口するトレンチ12を有する、Ga
2
O
3
系単結晶からなる第2の半導体層11と、面17上に形成されたアノード電極13と、第1の半導体層10の第2の半導体層11と反対側の面上に形成されたカソード電極14と、第2の半導体層11のトレンチ12の内面を覆う絶縁膜15と、第2の半導体層11のトレンチ12内に絶縁膜15に覆われるように埋め込まれ、アノード電極13に接触するトレンチMOSゲート16と、を有し、第2の半導体層11が、第1の半導体層側の下層11bと、下層11bよりも高いドナー濃度を有する、アノード電極13側の上層11aとから構成される、トレンチMOS型ショットキーダイオード1を提供する。
指定国:
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語:
日本語 (
JA
)
国際出願言語:
日本語 (
JA
)